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SZMM3Z6V8T1GX 发布时间 时间:2025/9/13 21:03:39 查看 阅读:15

SZMM3Z6V8T1GX 是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件由ONSEMI(安森美半导体)制造,具有紧凑的SOD-523封装,适合高密度电路板设计。齐纳电压额定值为6.8V,适合需要稳定电压参考的低功耗应用。

参数

齐纳电压:6.8V
  齐纳电流:5 mA
  最大功耗:150 mW
  最大反向漏电流:100 nA
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOD-523
  引脚数:2

特性

SZMM3Z6V8T1GX 是一款高精度、低功耗的齐纳二极管,采用先进的硅半导体技术制造,确保在广泛的温度和负载条件下仍能保持稳定的电压输出。该器件的齐纳电压在制造过程中经过精密调整,具有较高的电压精度,典型容差为±5%。其SOD-523小型封装不仅节省空间,而且便于自动化贴片生产,适用于便携式设备和高密度电路设计。
  此外,SZMM3Z6V8T1GX 具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,适用于各种工业和消费类电子产品。该器件的最大功耗为150mW,可在低功耗应用中提供稳定的电压参考。其反向漏电流极低(最大100nA),有助于减少静态功耗并提高电路效率。由于其优良的电气性能和高可靠性,该齐纳二极管广泛用于电源管理、信号调节、电压检测和基准电压源等应用场景。

应用

SZMM3Z6V8T1GX 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中,例如电源管理模块、电池充电电路、DC-DC转换器、电压检测电路、信号调节电路等。此外,该器件也可用于过压保护电路中,作为钳位二极管来限制电路中的电压峰值,保护后续电路免受高压损坏。在便携式电子产品、汽车电子系统、工业控制设备和通信设备中均有广泛应用。

替代型号

MM3Z6V8T1、SZMM3Z6V8T1、BZT52C-H6_07、BZX84C6V8

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SZMM3Z6V8T1GX参数

  • 现有数量21,800现货
  • 价格1 : ¥2.15000剪切带(CT)3,000 : ¥0.38231卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)6.8 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 3.5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商器件封装SOD-323