UF730L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:25:39 阅读：17

UF730L-TN3-R是一款由United Silicon Carbide Co., Ltd.（联合碳化硅有限公司）生产的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有出色的热导率和电子迁移特性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。与传统的硅基二极管相比，UF730L-TN3-R在反向恢复特性、开关损耗和导通损耗方面表现优异，特别适用于现代电力电子系统中对能效和功率密度要求较高的场合。
　　该型号采用表面贴装TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。其无反向恢复电荷的特性消除了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）并提高了系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持绿色环保制造要求，广泛应用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统等领域。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　封装/外壳：TO-252-2（DPAK）
　　是否无铅：是
　　是否环保：符合RoHS
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（IF(AV)）：3A
　　正向压降（VF）：1.65V（典型值，@ IF=3A, TJ=25°C）
　　最大浪涌电流（IFSM）：50A（@ 8.3ms单半波）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：200μA（最大值，@ VR=650V, TJ=25°C）
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W

特性

UF730L-TN3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其在高温、高压和高频环境下表现出远超传统硅二极管的性能。首先，该器件没有P-N结，而是采用肖特基势垒结构，因此不存在少数载流子存储效应，彻底消除了反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复时间（trr），这在高频开关电源中至关重要。这一特性显著降低了开关过程中的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激电路中，能够有效提升系统效率并减少对散热系统的要求。
　　其次，其650V的额定电压覆盖了大多数主流中压电源应用，包括400V母线系统的续流与整流需求。在实际运行中，即使在175°C的高温结温下，该器件仍能保持稳定的电气性能，展现出优异的热稳定性。这对于紧凑型电源设计尤为重要，因为它允许更高的功率密度而无需过度依赖复杂的冷却机制。此外，低正向压降（1.65V @ 3A）意味着更低的导通损耗，尤其在持续导通模式下可大幅节省能耗。
　　从可靠性角度看，UF730L-TN3-R经过严格的质量控制和老化测试，具备出色的抗浪涌能力和长期工作稳定性。其TO-252封装不仅便于PCB布局和自动装配，还提供了良好的热传导路径，有助于将芯片热量快速传递至散热层。同时，该器件对dv/dt噪声不敏感，避免了因电压突变引发的误触发问题，在EMI敏感的应用场景中表现更优。综合来看，UF730L-TN3-R是一款面向下一代高效能电源系统的理想选择，尤其适合追求小型化、轻量化和高可靠性的工业与消费类电子产品。

应用

UF730L-TN3-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于服务器电源、电信整流器和适配器中的输出整流或次级侧续流二极管，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提高整体能效。在光伏逆变器中，该器件可用于直流链路的防反保护或MPPT电路中的整流单元，凭借其高温耐受能力适应户外严苛环境。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充模块中，UF730L-TN3-R作为升压PFC电路中的升压二极管，可显著降低系统损耗并提升功率密度。
　　在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，该二极管也常被用作IGBT或MOSFET的续流路径，防止感性负载引起的电压反冲损坏主开关器件。由于其快速响应和低噪声特性，同样适用于高频DC-DC变换器和LLC谐振转换器等软开关拓扑结构。另外，在LED驱动电源和高端消费类电子设备中，UF730L-TN3-R有助于实现更高的效率等级（如80 PLUS Titanium认证）和更小的体积设计。总之，凡是对效率、热管理和空间布局有高要求的中压电力电子系统，均可从中受益。