工作频率范围：2.5 GHz 至 28 GHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 2.2 dB（典型值）
　　输出P1dB：约 +16 dBm
　　IIP3（输入三阶交调截点）：约 +30 dBm
　　工作电压：+3.3 V
　　静态电流：约 110 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω（内部匹配）
　　封装类型：4 mm × 4 mm SMT，16引脚 QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HMC429LP4ETR具备多项关键特性，使其成为高频宽带系统的理想选择。首先，它拥有极宽的工作频率覆盖能力，可在2.5 GHz到28 GHz之间实现稳定的增益响应，无需额外调整即可适应多种频段的应用需求，显著提升了系统设计的灵活性。这种宽带特性得益于内部优化的匹配电路设计，减少了对外部LC元件的依赖，从而降低了整体解决方案尺寸和成本。
　　其次，该器件在高频段仍能保持较低的噪声系数（典型值2.2 dB），这对于接收链路灵敏度至关重要，尤其是在远距离通信或弱信号接收场景下，有助于提升系统的信噪比和整体性能。同时，高达+30 dBm的IIP3值表明其具有优异的线性度，能够有效抑制互调失真，即使在多载波或高干扰环境下也能维持清晰的信号质量。
　　再者，HMC429LP4ETR采用+3.3V单电源供电，静态电流约为110 mA，提供了良好的功耗平衡，适合长时间运行的基站和户外设备。其集成化的结构还包括片内偏置电路和稳定性网络，避免了复杂的外部偏置调节，简化了设计流程并增强了长期运行的稳定性。
　　封装方面，该芯片使用16引脚QFN表面贴装封装，具有优良的散热性能和高频电气特性，便于集成到高密度射频PCB中，并兼容标准回流焊工艺。此外，器件在整个工作温度范围内（-40°C至+85°C）性能变化小，确保在严苛环境下的可靠运行。最后，HMC429LP4ETR通过了严格的工业级认证，符合RoHS环保要求，适用于各类商业和工业级无线通信系统。

HMC429LP4ETR广泛应用于需要高性能射频放大的现代通信与电子系统中。在点对点和点对多点微波无线电系统中，它被用于接收前端以增强微弱信号，提高链路预算和传输距离。在5G毫米波基础设施中，特别是在sub-6 GHz和毫米波频段的射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中，该LNA可用于提升上行链路灵敏度，改善网络覆盖和用户体验。
　　此外，该器件也适用于卫星通信终端，如VSAT（甚小口径终端）和移动卫星服务（MSS），在其LNA模块中发挥关键作用，确保在复杂电磁环境下的稳定接收性能。在军用和国防领域，HMC429LP4ETR可用于电子战系统、雷达前端接收机以及无人机通信链路，凭借其高线性度和宽频带特性支持多模式信号处理。
　　测试与测量设备制造商也将其集成于矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器的前端模块中，用于扩展仪器的高频响应能力。此外，在宽带无线接入系统（如WLAN扩展频段、WiGig相关应用）和毫米波成像系统中，该芯片同样展现出良好的适用性。由于其SMT封装形式，非常适合自动化量产装配，因此也被广泛用于需要批量部署的高性能射频模块中。

HMC584LC5TR