UF730L-TM3-T 是一款由 Unison Power(或相关制造商)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于高效率、高频开关应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在 Tc=25°C)
功耗(Pd):134W
导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ(典型值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
UF730L-TM3-T 具有多个关键特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,增强了载流能力和热稳定性。此外,其高栅极-源极电压耐受能力(±20V)使得在高电压开关应用中更加可靠。UF730L-TM3-T 的封装形式为 TO-252(DPAK),具备良好的热管理和焊接可靠性,适用于表面贴装技术(SMT),便于在 PCB 上安装。
该 MOSFET 的工作温度范围广泛(-55°C 至 175°C),适用于高温和低温环境下的稳定运行。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,适合高频开关应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。这些特性使得 UF730L-TM3-T 成为电源管理、工业自动化和汽车电子系统中的理想选择。
UF730L-TM3-T 常用于各类高功率和高频开关电路中。典型应用包括 DC-DC 升压和降压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、负载开关以及电源管理模块。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED 照明驱动器和车身控制模块。由于其高效率和高可靠性,UF730L-TM3-T 也适用于工业自动化设备中的功率控制部分,如伺服电机驱动器和智能功率模块(IPM)中的辅助开关元件。
SiR142DP-T1-GE, IRF730L, FDS6675CZ, AO4406