时间：2025/8/14 6:57:26
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SBA0520CA_R1_00001 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的双通道 N 沟道功率 MOSFET，适用于需要高效能和小型封装的电源管理应用。该器件采用小型无铅封装，适用于汽车电子、便携式设备、DC-DC 转换器等应用场景。SBA0520CA_R1_00001 的设计目标是提供低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，以满足现代电源管理系统的高效率要求。
类型：功率 MOSFET
沟道类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：4A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.052Ω（在 VGS=4.5V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSMT6（双通道）
SBA0520CA_R1_00001 具备多项显著特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为 0.052Ω，在 VGS=4.5V 时仍能保持较低的导通损耗，有助于提高系统效率并减少发热。这对于需要高效率和紧凑设计的便携式电子设备和车载系统尤为重要。
其次，SBA0520CA_R1_00001 采用双通道 N 沟道 MOSFET 结构，集成于一个小型 TSMT6 封装中，减少了 PCB 空间占用，同时降低了外部元件数量，简化了电路设计。此外，该器件的封装设计符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。
SBA0520CA_R1_00001 广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效率和小尺寸封装的功率管理系统中。常见应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理模块，用于实现高效的能量转换和分配。
RBA0520CA R1
