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LMBR0540ET1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:44:10 查看 阅读:18

LMBR0540ET1G是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管,广泛应用于需要高效能和低电压降的电路设计中。该器件采用先进的半导体技术制造,具有快速开关特性和低正向电压降,适用于高频率整流和保护电路等场景。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流:1A
  最大反向电压:40V
  正向电压降:0.375V(典型值)
  反向漏电流:100μA(最大值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOD-123

特性

LMBR0540ET1G的主要特性包括低正向电压降,这使得器件在工作时能够减少能量损耗并提高整体效率;快速开关能力使其适用于高频整流电路;此外,该器件的反向漏电流较小,可以在高温环境下稳定运行。其SOD-123封装形式确保了紧凑的电路设计,适用于空间受限的应用场景。
  该肖特基二极管的设计还具备高可靠性和稳定性,能够在恶劣的工作条件下保持性能不变。此外,其宽广的工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子系统。LMBR0540ET1G的这些特性使其成为一款理想的高效能二极管。

应用

LMBR0540ET1G广泛应用于多种电子设备和系统中,包括电源管理电路、DC-DC转换器、电池充电器、电压调节模块、高频整流器以及汽车电子系统。此外,该器件还可用于电路保护应用,例如反向极性保护和静电放电(ESD)保护。其紧凑的封装形式和高性能特性使其在便携式电子设备中也得到了广泛应用。

替代型号

MBR0540T, SR140, 1N5819

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