时间：2025/7/23 4:07:53
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CEB6060N是一款由华润微电子（CRMicro）推出的高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，属于600V N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的碳化硅半导体技术，具有低导通电阻、高开关速度和高热导率等优点，适用于要求高效率和高可靠性的电源系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：600V
最大漏极电流(ID)：160A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：60mΩ（最大）
栅极电压(VGS)：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：TO-247
CEB6060N具有优异的电性能和热性能，其碳化硅材料的宽禁带特性使其在高温和高电压环境下依然保持稳定的性能。该器件的低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，其快速开关特性可减少开关损耗，提升整体功率转换效率。此外，CEB6060N还具有良好的抗短路能力和较高的可靠性，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
该器件采用了高热导率的封装材料，确保在高功率密度应用中仍能保持良好的散热性能。其栅极驱动设计兼容标准MOSFET驱动器，简化了驱动电路的设计。CEB6060N在高温下的稳定性和较低的热阻使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
CEB6060N广泛应用于高效电源转换系统，如电动汽车充电器、光伏逆变器、工业电源、服务器电源、UPS不间断电源以及各种高功率密度的DC-DC转换器。由于其出色的高温性能和抗短路能力，该器件也适用于汽车电子系统中的电机控制器和车载充电器等应用。
CREE的C3M0060065J、STMicroelectronics的SCT3060ALHR、ON Semiconductor的NTB06N060SC1
