型号：UF730G-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：5.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：23.2A
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：9.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=4.5V）：12.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：680pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：280pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：1.2W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　安装方式：表面贴装
　　极性：单N沟道
　　峰值电流（Itsm）：未指定
　　反向恢复时间（trr）：不适用
　　体二极管正向电压（Vf）：约1.1V @ If=5.8A

UF730G-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能，使其在低电压、中等电流的应用中表现出色。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为9.5mΩ，在Vgs=4.5V时为12.5mΩ，这一特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。器件的输入电容Ciss为680pF，输出电容Coss为280pF，反向传输电容Crss为50pF，这些电容参数经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，并提升高频工作下的动态响应能力。此外，较低的栅极电荷（Qg=12nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低驱动损耗，特别适用于由PWM控制器或逻辑门直接驱动的场合。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大功耗为1.2W，在适当的PCB布局和散热条件下可稳定运行。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境温度下仍能可靠工作，适用于工业级和消费类电子产品。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持低压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或5V微控制器输出，简化了系统设计。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了抗干扰能力，防止因电压瞬变导致栅氧化层击穿，提高了长期使用的可靠性。
　　UF730G-TN3-R采用SOT-23封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，且引脚间距标准，易于手工焊接与维修。该封装具有较低的热阻（约125°C/W），结合合理的PCB铜箔面积设计，可有效将热量传导至外部环境。作为UniFET系列产品的一员，它在制造过程中遵循严格的品质控制流程，确保批次一致性与高可靠性。此外，器件符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对环保的要求，适用于绿色能源、智能穿戴设备、移动电源等多种新兴领域。

UF730G-TN3-R广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为高端或低端开关使用，利用其低Rds(on)和快速开关特性提升转换效率。在负载开关电路中，该MOSFET可用于控制电源路径的通断，实现对特定模块的供电管理，如LCD背光控制、USB端口电源隔离等，有效防止浪涌电流并提高系统安全性。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和便携式医疗仪器中，该器件用于电池保护电路或电源多路复用，保障设备在不同电源模式间的平稳切换。
　　此外，UF730G-TN3-R也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，凭借其快速响应能力和低导通损耗，能够精确控制电机启停与转向。在LED驱动电路中，可用于恒流调节或开关调光功能，提升亮度控制精度。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于微控制器I/O扩展后的功率驱动接口，替代传统双极型晶体管，减少功耗并提高响应速度。工业自动化传感器模块、IoT节点设备、无线充电接收端电源管理单元等也是其重要应用领域。得益于小型化封装和高集成度特点，该器件特别适合对空间和能效有严格要求的嵌入式系统设计。

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　　 "DMG3415U",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302DDS",
　　 "FDS6670A",
　　 "BSS138"
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