型号：UF6N15ZG-AA3-R
　　类型：SiC FET（共源共栅结构）
　　材料：碳化硅（SiC）
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：48 A
　　脉冲漏极电流（Id,脉冲）：192 A
　　导通电阻（Rds(on)）：65 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5 V
　　最大栅源电压（Vgs max）：±20 V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：DFN8x8
　　安装类型：表面贴装
　　输入电容（Ciss）：4600 pF
　　输出电容（Coss）：1150 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 0 ns
　　开关速度：快速，适用于高频操作
　　热阻（RθJC）：0.45 °C/W
　　峰值重复雪崩能量：具备一定雪崩耐受能力

UF6N15ZG-AA3-R的核心技术基于碳化硅材料与共源共栅架构的结合，使其在多个关键性能指标上显著优于传统硅基MOSFET。首先，其65 mΩ的低导通电阻在650V电压等级下实现了优异的导通损耗表现，尤其在高负载工况下能够大幅降低功率损耗，提高系统效率。其次，由于采用SiC JFET作为主开关元件，该器件具备极快的开关速度，且体二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr接近于零），从而极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题，特别适用于硬开关和高频软开关拓扑如LLC谐振转换器、图腾柱PFC等。
　　该器件的共源共栅结构设计是其另一大亮点：内部集成的硅MOSFET不仅作为驱动级，还承担了电压分压和电平转换的功能，使得整个器件可以通过标准+12V/-5V栅极驱动信号进行控制，无需额外的负压关断电路或专用驱动芯片，极大简化了驱动设计并提高了系统可靠性。此外，该结构还能有效抑制米勒效应，降低在高dV/dt条件下误触发的风险，提升了在高噪声环境下的鲁棒性。
　　在热管理方面，DFN8x8封装提供了良好的热传导路径，结合0.45°C/W的低结到壳热阻，使得器件在高功率密度应用中仍能保持稳定的工作温度。同时，高达+175°C的最大工作结温允许其在高温环境下长期运行，减少了对复杂散热系统的依赖。器件还具备较强的短路耐受能力和一定的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的安全性。最后，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通特性，电流可在多个并联器件间自然均衡，有利于构建更高功率等级的系统解决方案。

UF6N15ZG-AA3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力转换系统中。在数据中心和服务器电源领域，该器件可用于实现超高效率的图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路，利用其零反向恢复特性消除传统硅器件带来的开关损耗瓶颈，帮助电源达到80 PLUS钛金甚至更高的能效标准。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压级或DC-AC逆变级，凭借其高频能力缩小磁性元件体积，提升系统功率密度和转换效率。在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩的AC-DC或DC-DC模块，UF6N15ZG-AA3-R都能提供出色的效率和可靠性表现。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电信整流器和高密度DC-DC转换器等应用。在这些场景中，系统对效率、尺寸和散热有严格要求，而UF6N15ZG-AA3-R的低损耗特性和紧凑封装正好满足这些需求。其快速开关能力支持MHz级开关频率的设计探索，为下一代超高效电源架构提供了可行的技术路径。同时，由于其驱动兼容性强，现有基于硅MOSFET的设计可较容易地升级至SiC平台，实现性能跃升而无需彻底重构驱动电路，降低了技术迁移成本。

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　　 "UFP3N15ZG-AU3-R",
　　 "UFP6N15ZG-AU3-R",
　　 "UF3SC120065K4S",
　　 "GS-065B65D18"
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