UF640L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:13:39 阅读：14

UF640L-TN3-R是一款由Uniroyal Electronics（台湾威世通）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型封装，适用于高密度、空间受限的电源管理与信号整流应用。该器件以其低正向压降、快速开关特性以及优异的热稳定性而著称，广泛用于便携式电子设备和高效能电源转换系统中。其符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）设计，满足现代电子产品对绿色环保的要求。UF640L-TN3-R通过AEC-Q101车规级认证，因此也适用于汽车电子中的多种应用场景，如车载充电系统、DC-DC转换器和负载保护电路等。
　　该二极管的最大重复反向电压（VRRM）为60V，能够承受瞬态过压情况，同时保持较低的漏电流，在高温环境下依然表现出良好的可靠性。器件采用铜合金引线框架结构，提升了导热性能和机械强度，确保在高频开关条件下仍具有稳定的电气表现。此外，SOD-123FL封装具有较小的占板面积（约2.1mm x 1.3mm），非常适合自动化贴片生产流程，有助于提高PCB布局的灵活性和组装效率。

参数

型号：UF640L-TN3-R
　　封装类型：SOD-123FL
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：1A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：850mV @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 60V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：200°C/W（典型值）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，无限时间）

特性

UF640L-TN3-R的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为850mV，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提高了整体电源系统的转换效率。这一优势在电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统中尤为重要，有助于延长续航时间和减少散热需求。由于采用了肖特基势垒技术，该器件不存在少数载流子存储效应，因而具备极快的反向恢复速度（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适合高频开关电源、同步整流辅助电路以及反向极性保护等应用。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。器件在150°C的最高结温下仍能正常工作，且在高温反偏（HTRB）测试中表现出优异的漏电流控制能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。SOD-123FL封装优化了内部芯片连接工艺，减少了寄生电感和电阻，进一步提升了高频响应性能。此外，该封装具有良好的焊接可靠性和抗热冲击能力，适用于回流焊和波峰焊等多种生产工艺。
　　UF640L-TN3-R还具备较强的浪涌电流承受能力，其峰值脉冲电流可达30A，能够在电源启动或负载突变时提供可靠的保护作用。结合其1A的持续正向电流承载能力，使其在适配器、USB供电模块、LED驱动电源等领域具有广泛的适用性。整体而言，这款二极管在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高集成度电子设计中的理想选择。

应用

UF640L-TN3-R被广泛应用于各类消费类电子、工业控制和汽车电子系统中。在便携式设备如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中，常用于电池充放电路径的防反接保护和电源切换电路，利用其低VF特性减少能量损耗。在AC-DC和DC-DC转换器中，它可作为次级侧整流元件或续流二极管，尤其适用于非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）和SEPIC拓扑结构，提升轻载和满载条件下的效率表现。
　　在汽车电子领域，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明电源和12V/24V车载充电器等场景。其宽温度工作范围和高可靠性确保在发动机舱附近高温环境中仍能稳定运行。此外，UF640L-TN3-R也常见于USB PD快充适配器、Type-C接口的VBUS线路保护、热插拔电源管理电路以及太阳能充电控制器中，发挥其快速响应和低功耗的优势。
　　工业应用方面，该二极管可用于PLC模块、传感器供电单元、电机驱动电路中的箝位与续流功能，防止感应电压对主控芯片造成损害。其小型化封装也有助于实现紧凑型模块设计，适应高密度PCB布局需求。总的来说，凡是对效率、体积和可靠性有较高要求的低压直流电源系统，都是UF640L-TN3-R的理想应用场景。