时间：2025/9/1 23:24:23
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K4T51163QE-HCE 是三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其K4T系列的高速存储器产品。这款芯片被设计用于需要高带宽和高性能的应用场景，例如计算机主板、图形显卡、嵌入式系统和工业设备等。它是一款同步动态随机存储器（SDRAM），支持高速数据访问，并采用先进的制造工艺以确保可靠性和能效。K4T51163QE-HCE 通常用于需要大容量内存支持的设备，例如高端图形处理单元（GPU）、服务器和高性能计算设备。
容量：256MB
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大访问时间：5.4ns
频率：最高支持166MHz
数据宽度：16位
工艺技术：CMOS
K4T51163QE-HCE 的主要特性之一是其高速数据访问能力，最大访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，使其适用于对性能要求较高的应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗，适用于对能效敏感的系统设计。其16位的数据宽度和256MB的存储容量，使其在图像处理、嵌入式系统和工业控制等领域中具有广泛的应用。此外，该芯片支持异步和同步两种工作模式，提供了灵活的接口选项。
另一个重要特性是其TSOP（薄型小外形封装）封装形式，这种封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能和电气特性，适合高密度电路板设计。此外，该芯片的工作温度范围较宽，为-40°C至+85°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等应用场景。该芯片还内置了自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，有助于降低系统功耗并提高数据保持能力。
K4T51163QE-HCE 通常应用于需要高性能存储支持的电子系统中。例如，在高端图形显卡中，该芯片可以作为显存使用，用于存储和处理大量图像数据，从而提升图形渲染性能。在嵌入式系统中，它可以作为主内存或缓存使用，用于提升系统的运行速度和数据处理能力。此外，该芯片还广泛应用于工业自动化设备、测试仪器和通信设备中，以满足高速数据存储和访问的需求。
由于其宽温工作范围和高可靠性，该芯片也适合用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载导航系统。在这些应用中，存储器需要在极端温度条件下保持稳定运行，而K4T51163QE-HCE 正好具备这一能力。此外，该芯片的低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统，有助于延长设备的续航时间。
K4T51163QF-HCE6, K4T51163QE-HC05, CY7C1380D-54B, IDT71V124SA, ISSI IS61LV25616
