系列：74S
　　功能类型：八位透明D类锁存器
　　逻辑电平：TTL
　　封装类型：20引脚DIP（陶瓷）
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　高电平输出电流：-1mA
　　低电平输出电流：8mA
　　传播延迟时间（典型值）：3ns ~ 10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ 125°C
　　输入数量：8位数据输入
　　输出数量：8位三态输出
　　控制信号：锁存使能（LE）、输出使能（OE）

74S533J 的核心特性之一是其高速操作能力，得益于 74S 系列所采用的肖特基钳位晶体管技术，能够显著减少存储时间并提升开关速度。其传播延迟通常在 3ns 到 10ns 之间，这使得它在当时的数据处理系统中表现出色，特别适合用于高速寄存器、地址锁存器和总线接口电路。该器件的八位透明锁存功能意味着当锁存使能（LE）信号有效时，输入数据会直接传递到输出端；而当 LE 被禁用时，输出将保持最后的状态，从而实现数据的稳定锁存。
　　另一个关键特性是其三态输出结构。通过输出使能（OE）信号的控制，输出可以处于高电平、低电平或高阻抗状态。这种高阻抗模式允许多个器件共享同一组数据总线，避免了信号冲突，提升了系统的灵活性和可扩展性。这一特性使其非常适合应用于多处理器系统、内存控制器和I/O端口设计中，作为总线驱动缓冲器使用。
　　74S533J 采用陶瓷 DIP 封装（J 后缀），具备良好的热稳定性和机械强度，能够在极端温度条件下可靠运行，因此常用于军事、航空航天等对环境适应性要求较高的领域。其宽工作温度范围（-55°C 至 +125°C）进一步增强了其在恶劣环境下的适用性。然而，与高速性能相对应的是较高的功耗，74S 系列的静态功耗明显高于后来的 74LS 或 74HC 系列，限制了其在便携式或低功耗系统中的应用。
　　此外，该器件对电源噪声较为敏感，设计时需注意去耦电容的布置，通常建议在每个芯片的电源引脚附近添加 0.1μF 陶瓷电容以抑制高频噪声。尽管该芯片已不再推荐用于新设计，但由于其电气特性和引脚兼容性明确，仍可通过替代型号或现代等效器件进行升级替换，在系统维护和逆向工程中具有一定价值。

74S533J 主要应用于早期的数字系统中，尤其是在需要高速数据锁存和总线隔离的场合。一个典型的应用是在微型计算机或嵌入式系统中作为地址锁存器，用于在地址/数据复用总线上分离地址信息。例如，在 8086 或类似架构的 CPU 系统中，地址和数据共用同一组引脚，通过 ALE（地址锁存使能）信号触发 74S533J 锁存地址，从而释放总线用于后续的数据传输。这种应用充分发挥了其快速响应和三态输出的优势，确保系统时序的精确控制。
　　在工业控制系统中，74S533J 可用于 I/O 扩展模块中，作为输入数据的缓冲锁存器或输出数据的暂存单元。其高噪声 immunity 和稳定的 TTL 电平输出使其能够在电磁干扰较强的工厂环境中可靠运行。此外，在通信设备中，该芯片可用于并行数据的同步采集与转发，例如在调制解调器或打印机接口中实现数据帧的临时存储。
　　由于其军用级封装和宽温特性，74S533J 也常见于航空航天、雷达系统和军事通信设备中，用于构建高可靠性逻辑控制电路。尽管现代设计更多采用集成度更高的 ASIC 或 FPGA，但在系统升级或故障替换过程中，了解其应用背景对于保障 legacy system 的持续运行至关重要。此外，在教育和科研领域，该芯片仍被用于讲授数字逻辑设计原理，帮助学生理解锁存器、三态门和总线结构的基本概念。

SN74S533J
　　DM74S533J
　　55S533J