时间：2025/12/27 8:43:45
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UF634L-TN3-R是一款由United Silicon Carbide Co., Ltd.（联合碳化硅）生产的N沟道增强型碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。相较于传统的硅基MOSFET，UF634L-TN3-R在导通电阻、开关损耗和热性能方面具有显著优势，适用于诸如太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源、工业电机驱动以及高频DC-DC转换器等高端功率转换场合。该器件封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其低栅极电荷和低输出电容特性使其在高频开关应用中表现优异，同时能够减少外围驱动电路的设计复杂度。此外，该型号支持快速体二极管恢复，有助于降低反向恢复损耗，提高整体系统效率。作为一款符合RoHS环保标准的器件，UF634L-TN3-R在现代绿色能源与高效电源系统中具有广泛的应用前景。
类型：N沟道增强型
材料：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）@25°C：34A
脉冲漏极电流（Idm）：136A
导通电阻（Rds(on)）@25°C：65mΩ
导通电阻（Rds(on)）@175°C：105mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0V（典型值）
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4800pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：15ns（典型值）
最大工作结温（Tj）：175°C
封装：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装
UF634L-TN3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使得该器件在高压、高频和高温工作条件下仍能保持卓越的电气性能。首先，其650V的耐压等级适用于大多数中等电压功率转换系统，如车载充电机、光伏逆变器和通信电源等。相比传统硅MOSFET，碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度，允许器件在更薄的漂移层下实现高耐压，从而显著降低导通电阻。该器件在25°C时的典型Rds(on)仅为65mΩ，即便在高温175°C下也仅上升至105mΩ，表现出极佳的温度稳定性，这有助于在高负载条件下维持较低的导通损耗，提升系统整体能效。
其次，该器件具备较低的栅极电荷（Qg = 75nC）和输入电容（Ciss = 4800pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，不仅降低了驱动电路的设计难度，还减少了开关过程中的动态损耗。这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的谐振变换器或图腾柱PFC电路尤为重要。此外，其快速的反向恢复时间（trr = 15ns）配合内置的体二极管，能够在硬开关或双向导通场景中有效抑制反向恢复电流尖峰，避免由此引发的电磁干扰（EMI）和额外功耗，进一步提升系统可靠性。
再者，TO-252封装形式提供了良好的散热路径，适合通过PCB铜箔或散热片进行热管理，满足高功率密度设计的需求。该封装还具备较强的抗热循环能力，适用于温度变化剧烈的应用环境。器件支持最高175°C的工作结温，远高于传统硅器件的150°C限制，增强了在恶劣工况下的运行安全性。最后，UF634L-TN3-R符合工业级质量标准，经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环试验，确保长期稳定运行。其无铅、符合RoHS的制造工艺也满足现代电子产品对环保的严格要求。
UF634L-TN3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。典型应用场景包括光伏并网逆变器中的DC-AC转换级，利用其低损耗特性提升整机转换效率；在电动汽车车载充电机（OBC）中用于PFC升压级或DC-DC变换器，实现小型化与高功率密度设计；在数据中心和服务器电源中作为主开关器件，支持高频率运行以减小磁性元件体积；在工业电机驱动系统中用于逆变桥臂，提高系统响应速度与能效；此外，还可用于不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热设备以及高频开关电源模块等。由于其优异的高温性能，也适合部署在密闭或散热受限的环境中。
SCT3045KLGE, C3M0065090J, GS66508T
