型号：UF634
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：650V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：3A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：12A
　　导通电阻(RDS(on))：2.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A
　　栅极电荷(Qg)：28nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：680pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间(td(on))：15ns
　　关断延迟时间(td(off))：45ns
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

UF634采用先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构，实现了较低的导通电阻RDS(on)，在650V高电压应用中仍能保持较高的能效表现。其典型RDS(on)仅为2.2Ω，在ID=1.5A、VGS=10V条件下即可充分导通，显著降低了导通损耗，有助于提升电源系统的整体效率。此外，该器件具备出色的开关特性，包括快速的开启和关断响应时间，td(on)约为15ns，td(off)约为45ns，配合较低的栅极电荷Qg（28nC），使得在高频开关应用中动态损耗更小，适用于工作频率较高的SMPS拓扑结构，如反激、正激或LLC谐振变换器。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性与长期可靠性，芯片通过了严格的高温反向偏压测试（HTRB）和高温栅极偏压测试（HTGB），确保在恶劣工作环境下的耐用性。其最大漏源电压高达650V，能够承受市电整流后的峰值电压波动，适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计。同时，UF634具备较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或电感负载切换时吸收一定的感性能量，防止器件因电压尖峰而损坏，从而提高系统安全性。
　　体二极管的反向恢复时间trr为45ns，属于较快水平，有助于减少反向恢复过程中的电流尖峰和电磁干扰（EMI），在桥式电路或同步整流应用中表现良好。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的温度环境中稳定运行。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的散热能力，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力。总体而言，UF634是一款性价比高、性能稳定的高压MOSFET，适合对成本和效率均有要求的中低端电源产品设计。

UF634广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在交流-直流（AC-DC）转换器中作为主开关管使用，常见于充电器、适配器、LED驱动电源和小型逆变器等设备。其650V的耐压能力使其能够适应宽范围输入电压的应用场景，例如在全球通用输入（85VAC~265VAC）条件下工作的离线式反激电源（Flyback Converter），在这种拓扑中，UF634承担能量传递和电压调节的关键任务。
　　在DC-DC变换器中，UF634可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构中作为功率开关元件，特别是在需要较高电压增益的场合表现出色。此外，它也适用于电机驱动电路，如小功率直流电机或步进电机的H桥驱动模块中，作为高速开关实现正反转控制和调速功能。由于其具备较快的开关速度和较低的导通损耗，因此在便携式设备电源管理单元中也有应用潜力。
　　在照明电子领域，UF634常用于LED恒流驱动电源中，尤其是在隔离式反激架构中作为初级侧开关管，配合PWM控制器实现精确的输出电流调节。同时，其良好的热稳定性和抗干扰能力使其适用于工业控制设备中的继电器驱动、电磁阀控制等功率切换场合。此外，UF634还可用于UPS不间断电源、电池充电管理系统以及家用电器中的电源模块，如微波炉、空气净化器、智能插座等产品中。凭借其高可靠性和成熟工艺，UF634已成为许多中低端电子产品中主流的高压MOSFET选择之一。

FQP6N65S
　　STP3NK65ZFP
　　KIA634