IXTH13P20A 时间：2025/8/5 16:03:06 阅读：35

IXTH13P20A 是一款由 Littelfuse（原IXYS）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压、高频率和高效率的开关应用而设计，适用于各种电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制、逆变器和UPS系统。IXTH13P20A 采用TO-247封装，具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和出色的热性能，使其在严苛的工业环境中也能稳定工作。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N型
　　最大漏极电流（ID）：13A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：45nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH13P20A 的主要特性之一是其具备低导通电阻（RDS(on)）的特性，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在200V电压下可提供高达13A的漏极电流，适合中高功率级别的应用。其导通电阻的典型值为0.38Ω，在VGS=10V条件下可实现更低的导通压降，从而减少功率损耗。
　　此外，IXTH13P20A 具有较高的开关速度，栅极电荷仅为45nC，这有助于降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的内部结构设计优化了热性能，提高了散热效率，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，防止因电压尖峰引起的器件损坏。这种特性在电机控制和逆变器等应用中尤为重要，因为这些应用中常常会遇到高能瞬态电压。
　　封装方面，IXTH13P20A 采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合安装在标准的散热片上，便于系统集成和维护。此外，该封装也具备良好的电气绝缘性能，提高了器件在高电压环境下的可靠性。

应用

IXTH13P20A 广泛应用于各类电源管理和功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。其高电压耐受能力和低导通电阻使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。例如，在电机控制应用中，IXTH13P20A 可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制；在太阳能逆变器中，该器件可用于DC-AC转换阶段，将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电供给电网或负载。