型号：UF634-Q
　　极性：N沟道
　　漏源电压Vds：60V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：120A
　　脉冲漏极电流Idm：480A
　　栅源电压Vgs：±20V
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：6.0mΩ
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：7000pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：950pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容Crss：180pF（@Vds=25V）
　　总栅极电荷Qg（@Vgs=10V, Id=60A）：120nC
　　功耗Pd：200W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　符合RoHS标准：是
　　符合AEC-Q101：是

UF634-Q具备出色的电学性能与热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时最大仅为4.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效，尤其适用于大电流、低电压的应用场景如同步整流和电池供电系统。该器件采用了优化的沟槽工艺和芯片结构设计，在保证高电流承载能力的同时有效抑制了热失控风险。其高达120A的连续漏极电流能力和480A的脉冲电流能力使其能够应对瞬态过载工况，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET的栅极特性经过精细调校，具备较低的栅极电荷（Qg=120nC）和米勒电容（Crss=180pF），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，开关速度更快，从而减少了开关损耗并提升了电源转换效率。这对于现代高频率DC-DC变换器、PWM控制器和数字电源系统尤为重要。同时，较低的输入电容也有助于减少对驱动电路的要求，简化外围设计。
　　UF634-Q的TO-252封装不仅支持表面贴装自动化生产，还具备优良的散热性能，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量迅速传导出去，确保长时间高负荷运行下的可靠性。该封装结构机械强度高，抗振动能力强，非常适合汽车电子应用。此外，器件的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，可在极端高低温环境中保持稳定性能，满足严苛工业和车载环境的需求。
　　值得一提的是，UF634-Q通过了AEC-Q101认证，意味着它经历了包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等多项可靠性测试，具备车规级品质。这一认证使其成为电动汽车、车载充电机、ADAS系统和车身控制模块等关键系统的理想选择。综合来看，UF634-Q在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是一款面向高端应用的高性能功率MOSFET器件。

UF634-Q广泛应用于各类需要高效、高可靠性功率开关的电子系统中，尤其适用于汽车电子领域，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）、车载照明电源模块以及车身电子控制单元（ECU）等。在新能源汽车中，该器件可用于动力电池包内的功率分配与保护电路，实现快速响应的负载切换与短路保护功能。
　　在工业控制方面，UF634-Q常用于伺服电机驱动器、PLC输出模块、工业电源和UPS不间断电源系统中，作为主开关或同步整流元件，提供高效的能量转换路径。其低Rds(on)和高电流能力可显著降低发热，延长设备使用寿命。
　　此外，在消费类电源产品如大功率适配器、LED驱动电源和便携式储能设备中，UF634-Q也表现出色，特别是在同步降压或升压拓扑结构中，能够替代传统二极管进行整流，大幅提升转换效率。其高频开关特性也适用于数字化电源和多相VRM（电压调节模块）设计。
　　由于具备AEC-Q101认证和宽温工作能力，UF634-Q还可用于户外通信设备、轨道交通控制系统和智能电网终端设备等对环境适应性要求高的场合。总之，凡涉及中高功率直流开关、电池管理、电机控制或高效电源转换的应用，UF634-Q均是一个可靠且高效的选择。

AP634G-13-F
　　SISS828DN-T1-GE3
　　AOZ5311NQI-02