时间：2025/12/27 7:55:32
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UF3N25ZG-AA3-R是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的SiC（碳化硅）MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件属于Rohm的第三代SiC MOSFET产品线，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热稳定性等特性，适用于电动汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、工业电机驱动以及太阳能逆变器等高端电力电子系统。UF3N25ZG-AA3-R封装在SMD兼容的4引脚TO-247Mini封装中，有助于降低寄生电感并提高开关性能，同时支持表面贴装工艺，适合自动化生产。
这款SiC MOSFET的额定电压为650V，连续漏极电流可达18A（TC=25°C），最大脉冲电流能力更高，具备出色的功率密度和能效表现。其栅极阈值电压典型值约为3.0V，确保与标准栅极驱动电路兼容，并可通过负压关断增强抗噪能力。器件内部无体二极管，但在实际应用中可利用其反向导通特性进行续流操作，但需注意控制dV/dt以避免误导通问题。
Rohm为其提供了完整的应用技术支持，包括参考设计、SPICE模型、热仿真数据及可靠性测试报告，帮助工程师快速完成系统级设计验证。此外，UF3N25ZG-AA3-R符合RoHS和AEC-Q101汽车级认证标准，保证了在严苛环境下的长期可靠运行。
型号：UF3N25ZG-AA3-R
制造商：Rohm Semiconductor
技术类型：SiC MOSFET
极性：N沟道
额定电压：650V
额定电流：18A（TC=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ（Vgs=20V, Id=9A）
栅极阈值电压（Vth）：2.6V ~ 3.5V
输入电容（Ciss）：典型值约1100pF
输出电容（Coss）：典型值约250pF
反向恢复时间（trr）：无体二极管
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247Mini（4引脚）
安装方式：表面贴装（SMD）
符合标准：RoHS, AEC-Q101
UF3N25ZG-AA3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越性能表现。首先，相较于传统硅基MOSFET，SiC材料具有更高的临界击穿电场强度和热导率，使得该器件能够在更高的电压下工作，同时有效散热，显著提升系统的功率密度和效率。其次，该MOSFET采用了Rohm独有的沟槽栅结构设计，消除了传统平面型SiC MOSFET中存在的JFET效应，进一步降低了单位面积的导通电阻，从而减少导通损耗，在高负载条件下尤其明显。
其次，该器件具备极快的开关速度，得益于其较低的输入/输出电容以及优化的栅极结构，能够在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下稳定运行，大幅减小磁性元件（如电感和变压器）的体积与重量，适用于紧凑型电源设计。此外，快速开关带来的另一个好处是减少了开关过程中的重叠损耗，提升了整体能效，特别适合用于新能源汽车和可再生能源系统这类对能效要求极为严苛的应用场景。
再者，UF3N25ZG-AA3-R的工作结温最高可达+175°C，远高于普通硅器件的150°C上限，使其能在高温环境下持续稳定运行，增强了系统在恶劣工况下的鲁棒性。同时，其宽泛的存储和工作温度范围也满足了工业和汽车领域的极端使用需求。值得一提的是，该器件采用4引脚Kelvin源极连接设计，将功率源极与信号源极分离，有效降低了共源电感对开关波形的影响，提高了驱动精度，抑制了振荡风险，使系统更易于实现高频软开关拓扑（如LLC、ZVS等）。
最后，作为一款通过AEC-Q101认证的车规级产品，UF3N25ZG-AA3-R在可靠性方面经过了严格的应力测试，包括高温反偏寿命测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）和功率循环测试等，确保在长期运行中保持稳定的电气参数。Rohm还提供配套的驱动IC和保护电路设计方案，帮助用户构建安全可靠的高功率系统。
UF3N25ZG-AA3-R广泛应用于需要高效、高频和高可靠性的现代电力电子系统中。在新能源汽车领域，它被用于主驱逆变器、车载充电机（OBC）和DC-DC升压转换器中，凭借其低损耗和高开关频率能力，显著提升整车能效并延长续航里程。在工业电源系统中，该器件适用于大功率伺服驱动器、UPS不间断电源和工业变频器，能够实现更高的功率密度和更低的冷却成本。此外，在太阳能光伏逆变器中，其高效率和快速响应特性有助于最大化能量转换效率，尤其是在部分光照条件下的MPPT追踪精度得到提升。
通信电源和服务器电源也是其重要应用场景之一。随着数据中心对能源效率的要求不断提高，采用SiC MOSFET的图腾柱PFC（无桥PFC）拓扑成为主流方案，而UF3N25ZG-AA3-R正是此类拓扑的理想选择，因其无体二极管特性可避免反向恢复损耗，从而大幅提升轻载和满载效率。同时，其表面贴装封装形式便于自动化生产和回流焊工艺，提高了制造良率和一致性。
在储能系统（ESS）中，该器件可用于双向AC/DC或DC/DC变换器模块，实现高效的能量调度与管理。由于其良好的热稳定性和长期可靠性，即使在高温高湿环境中也能保持稳定运行，延长系统寿命。此外，航空电子、轨道交通牵引系统等高端领域也开始逐步采用此类高性能SiC器件，推动整个电力电子行业向更绿色、更智能的方向发展。
SCT3045ALGE, SCT3105KR, C3M0065100K, FFSH30120A
