类型：N沟道MOSFET
　　技术：超级结（Super Junction）
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：16 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：0.163 Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　输出电容（Coss）：470 pF
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220FP

SPT50L-163MLC具备卓越的电气性能和热管理能力，其核心优势在于采用了超级结结构技术，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域来打破传统MOSFET的“硅极限”，即在相同耐压下实现更低的导通电阻。这一设计使得器件在500V额定电压下仍能保持RDS(on)低于0.163Ω，大幅减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。
　　该器件的动态特性同样出色，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这有助于减少开关过程中的驱动损耗和能量消耗，特别适合高频开关应用如连续导通模式PFC电路。同时，其较小的反向恢复电荷（Qrr）和快速的体二极管反向恢复时间（trr约为35ns），有效抑制了由于体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而增强了系统的可靠性和稳定性。
　　在热性能方面，SPT50L-163MLC采用高导热材料和优化的芯片布局，确保热量能够迅速从芯片传递到外壳并散发出去。其TO-220FP封装具备较大的散热面积和良好的绝缘性能，可在自然对流条件下支持高达125W的功耗耗散能力，适用于无风扇或空间受限的设计。
　　此外，该器件经过严格的可靠性验证，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）和温度循环测试，确保在恶劣环境下长期运行不发生性能退化。它还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不损坏，提高了电源系统的鲁棒性。综合来看，SPT50L-163MLC是一款兼顾高效率、高可靠性和易用性的先进功率MOSFET，广泛应用于各类高效电源拓扑中。

SPT50L-163MLC主要用于高效率开关电源系统中，尤其是在功率因数校正（PFC）级电路中表现突出。典型应用场景包括：交流-直流（AC-DC）电源适配器、台式机与服务器电源单元（PSU）、工业电源模块、LED照明驱动电源、电信整流器、不间断电源（UPS）以及小型太阳能微型逆变器等。
　　在连续导通模式（CCM）PFC升压变换器中，SPT50L-163MLC作为主开关管，承担高频开关任务，其低导通电阻和快速开关特性可显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率至95%以上。同时，由于其具备良好的体二极管反向恢复特性，可以有效减少与升压二极管之间的换流应力，避免产生严重的电压振荡和EMI问题。
　　在LED恒流驱动电源中，该器件可用于隔离式反激（Flyback）或半桥LLC谐振拓扑的初级侧开关，提供高效的能量传输路径。其高耐压能力使其适用于宽输入电压范围（如90VAC~264VAC）的应用场合，满足全球电网兼容需求。
　　在工业控制和自动化设备中，SPT50L-163MLC可用于电机驱动的辅助电源或DC-DC转换模块，提供稳定可靠的功率开关功能。此外，其坚固的封装和高温工作能力也使其适用于环境温度较高的工业现场。
　　对于绿色能源系统，如光伏微逆变器或储能系统中的DC-DC升压环节，SPT50L-163MLC凭借其高效率和高可靠性，有助于延长系统寿命并降低运维成本。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、小体积、高可靠性的中等功率（100W~1kW）电力电子应用领域。

STP16NK50ZFP
　　STP12SM50FLG
　　STP16SM50DJR