时间：2025/8/15 22:21:47
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UF3C120080K3S是一款由UnitedSiC（现属于Qorvo）推出的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（FET）。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，具有出色的导通和开关性能，适用于高效率、高频率和高温工作环境。UF3C120080K3S采用三端子K封（TO-247）封装，便于在各种高功率应用中使用。该器件的额定电压为1200V，最大连续漏极电流可达80A，是替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择。
类型：SiC MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：约25mΩ
封装形式：TO-247（三端子）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（Ptot）：典型值500W
热阻（RthJC）：约0.35°C/W
UF3C120080K3S SiC MOSFET具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，碳化硅材料的宽禁带特性使其具备更高的击穿电压和更低的开关损耗，从而支持高频操作，减少磁性元件和散热器的尺寸。此外，该器件具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于严苛的工业和汽车应用。UF3C120080K3S还具备快速体二极管恢复特性，减少了反向恢复损耗，进一步提升了系统性能。其三端子封装设计有助于降低开关过程中的振铃效应，提高EMI性能。最后，该器件具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和鲁棒性。
UF3C120080K3S还支持并联操作，适合用于高功率密度设计。由于其增强型（normally-off）特性，该器件在栅极驱动失效时会自动关断，提升了安全性。综合来看，UF3C120080K3S是一款适用于多种高功率应用场景的高性能SiC MOSFET。
UF3C120080K3S广泛应用于需要高效能、高频开关和高可靠性的电力电子系统中。常见应用包括工业电源、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电器、车载DC-DC转换器、电机驱动器以及高密度电源模块。在这些应用中，该器件能够显著提高系统效率，降低散热需求，减小系统体积和重量。例如，在电动汽车充电设备中，UF3C120080K3S可以用于PFC（功率因数校正）电路或DC-DC转换级，提升整体能效；在工业电源系统中，该器件可用于构建高效率的谐振转换器或硬开关拓扑。此外，由于其出色的高温性能，该器件也适用于需要在恶劣环境下运行的军事和航空航天电源系统。
SiC MOSFET替代型号包括Qorvo的UF3C120080T8S（TO-263封装）、Wolfspeed的C3M0016120D、Infineon的IMZ120R025M1H、STMicroelectronics的SCT3080ALHR、Onsemi的NTHL120N120SC1。
