1PS76SB21Z 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)制造的双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管属于射频(RF)晶体管类别,适用于需要高频率性能和高可靠性的电路设计。1PS76SB21Z 采用先进的硅半导体技术,具备优良的高频响应和稳定性,广泛应用于通信设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
过渡频率(fT):250 MHz
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1PS76SB21Z 拥有出色的高频性能,能够在高达250 MHz的频率下稳定工作,使其成为射频放大器和高速开关电路的理想选择。其紧凑的SOT-23封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能。该晶体管的低噪声特性使其在低噪声放大器设计中表现出色,能够有效提升信号的清晰度和稳定性。此外,1PS76SB21Z具有较高的增益带宽积,能够在宽频率范围内保持较高的放大倍数,适用于需要宽频响应的应用场景。该晶体管还具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,确保在各种环境条件下都能可靠运行。
此外,1PS76SB21Z的制造工艺符合行业标准,具有优异的可靠性和一致性,适用于批量生产和长期使用。其低饱和压降和快速开关特性使其在数字电路和脉冲电路中表现良好。该晶体管还具有较低的输入电容,有助于减少高频信号的损耗,提高整体电路的效率。
1PS76SB21Z 主要应用于射频放大器、高频振荡器、信号发生器、无线通信模块、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高频电路设计。它也可用于数字开关电路、脉冲调制电路和低噪声放大器的设计。由于其高频性能和稳定性,1PS76SB21Z 在无线通信系统、卫星接收设备、射频识别(RFID)系统以及测试测量设备中得到了广泛应用。
2N3904, BC547, BFQ545