时间：2025/12/27 9:06:37
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UF3710G-TQ2-R是一款由UPI（力智电子）推出的高性能、高效率的同步整流控制器芯片，广泛应用于反激式（Flyback）电源转换器中，特别是在快速充电器、适配器和电源模块等对效率和功率密度要求较高的场景。该器件采用先进的同步整流技术，取代传统肖特基二极管，显著降低导通损耗，提升整体电源系统的转换效率，并有效减少热耗散。UF3710G-TQ2-R支持宽范围的输入电压工作，具备出色的动态响应能力，能够精准检测MOSFET的漏源极电压（VDS），在反激拓扑的续流阶段适时开启和关断外接的N沟道MOSFET，实现高效能量传递。该芯片内置多重保护机制，包括过温保护、过压保护以及短路保护，确保系统在各种异常工况下的稳定与安全。此外，其封装形式为TQFN-16L（或类似小型化封装），具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高集成度的小型化电源设计。作为一款面向消费类电子和工业类电源的同步整流控制IC，UF3710G-TQ2-R在能效标准（如CoC Tier 2、DoE Level VI）合规性方面表现出色，是现代高效电源设计中的关键元器件之一。
型号：UF3710G-TQ2-R
制造商：UPI Semiconductor (力智电子)
封装类型：TQFN-16L
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
最大供电电压：24V
静态电流：典型值 1.2mA
启动电压：典型值 16V
关断电压：典型值 10V
驱动输出电压：12V（栅极驱动）
最大驱动能力：支持外接N-MOSFET
同步整流方式：谷底开通（Valley Switching）
控制模式：电流模式控制
开关频率支持：高达1MHz
VDS检测精度：±50mV
保护功能：过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、短路保护（SCP）
认证标准：符合RoHS和无铅工艺要求
UF3710G-TQ2-R具备先进的谷底导通检测技术，能够精确识别反激变换器中MOSFET漏源极电压的最低点（即“谷底”），从而在最佳时刻开启同步整流MOSFET，最大限度地减少开关损耗并抑制电压振铃，提高系统效率。该芯片采用智能自适应导通时间控制算法，可根据负载条件自动调节MOSFET的导通时间，避免因过早或过晚关断导致的能量浪费或反向电流问题，确保在轻载到满载全范围内均保持高效率。其高精度VDS检测电路对噪声具有强抗干扰能力，能够在高频开关环境下稳定工作，防止误触发或误关断，提升了系统的可靠性。芯片内部集成了高压启动电路，支持直接从高压母线启动，简化了外围电路设计，无需额外的辅助绕组供电。同时，其栅极驱动输出具有足够的驱动电流能力，可有效驱动低栅极电荷的MOSFET，加快开关速度，进一步降低开关损耗。
此外，UF3710G-TQ2-R具备完善的系统级保护机制。当芯片温度超过设定阈值时，过温保护功能会自动关闭输出，防止热失控；过压保护则监控VDD供电电压，避免因异常升压损坏芯片；短路保护可在输出短路时迅速响应，限制电流并进入打嗝模式，保障电源安全。该器件还支持多模式运行，包括CCM（连续导通模式）、DCM（断续导通模式）和QR（准谐振）模式，兼容多种反激拓扑结构，增强了设计灵活性。TQFN-16L封装不仅体积小巧，有助于缩小PCB面积，还具备优良的热传导性能，便于热量快速散发，适合高功率密度应用场景。整体而言，UF3710G-TQ2-R在效率、可靠性、集成度和安全性方面均达到行业领先水平，是现代高能效电源适配器的理想选择。
UF3710G-TQ2-R主要应用于各类高效率、小体积的AC-DC电源转换系统中，尤其适用于USB PD快充充电器、手机及笔记本电脑适配器、智能家居电源模块、工业电源单元以及LED驱动电源等场景。由于其支持高开关频率和多种工作模式，特别适合用于基于QR Flyback架构的高效电源设计，满足能源之星、CoC Tier 2和美国DoE Level VI等国际能效标准的要求。在USB Type-C PD 3.0/3.1大功率快充方案中，该芯片常作为次级侧同步整流控制器，配合初级侧PWM控制器实现整体效率优化，降低温升，提升产品竞争力。此外，该器件也广泛用于机顶盒、路由器、安防摄像头等消费类电子产品配套的电源适配器中，帮助厂商实现更小体积、更高效率的产品设计。在工业领域，其高可靠性和宽温工作能力使其适用于工业控制设备、PLC电源模块以及通信设备中的嵌入式电源系统。得益于其优异的动态响应和稳定性，UF3710G-TQ2-R也可用于多路输出电源设计中，确保各路输出在负载变化时仍能维持高效整流。随着全球对节能环保要求的不断提升，该芯片在绿色电源、新能源配套电源等领域也展现出广阔的应用前景。
INN3377C
