类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：16A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220AB

UF1602GA具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，它的导通电阻非常低，仅为0.22Ω，这大大降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件的漏源电压高达200V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种高压应用场合。
　　此外，UF1602GA的最大连续漏极电流为16A，在高电流应用中表现出色，能够承受较大的负载。它的功耗为160W，具有良好的散热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到150℃，适用于各种恶劣的工作环境。
　　UF1602GA采用TO-220AB封装形式，便于安装和散热，同时具有良好的机械强度和电气性能。这种封装形式广泛应用于工业级电子设备中，确保了器件的长期可靠性。

UF1602GA广泛应用于多种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、UPS系统以及工业自动化设备。在这些应用中，UF1602GA能够提供高效的功率转换，降低能耗，同时提高系统的稳定性和可靠性。
　　在电池管理系统中，UF1602GA可用于充放电控制电路，确保电池的安全运行。在电机控制应用中，该MOSFET能够实现精确的速度调节和高效的功率输出。此外，在工业自动化设备中，UF1602GA常用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载，确保设备的高效运行。
　　由于其高耐压和大电流能力，UF1602GA也适用于各种高要求的电源管理电路，如开关电源（SMPS）和逆变器系统，能够有效提升系统的整体性能。

IRF1602, FDPF1602, STP16NF20, FDPF1603