UF1004T 时间：2025/9/5 15:30:34 阅读：8

UF1004T 是一款由UTC（Unisonic Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于降低导通损耗并提高系统效率。UF1004T通常采用TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装（SMT）工艺，适用于各种中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：48A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：190A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

UF1004T具有出色的导通性能和开关特性，其核心优势体现在低导通电阻（Rds(on)）设计上，这使得在大电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提高系统整体效率并减少散热设计的复杂度。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，实现了在较小封装体积下具备高电流承载能力和优良的热稳定性。
　　此外，UF1004T的栅极设计支持快速开关操作，减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频应用中的性能表现。其栅源电压容限为±20V，提供了良好的抗过压能力，适用于多种控制电路设计。TO-252（DPAK）封装形式不仅支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性，还具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。

应用

UF1004T主要应用于各种中高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及LED照明驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换系统。此外，UF1004T也广泛用于工业自动化设备、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动工具及电动汽车的功率控制模块中。