类型：双路 MOSFET 功率模块
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大漏极电流（ID）：400A
　　导通电阻（RDS(on)）：2mΩ
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　绝缘电压：2500V
　　栅极驱动电压：10V

SKN2M400/10 模块采用了先进的功率 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻和快速的开关特性，从而实现高效的能量转换。其双路配置允许用户在半桥或其他拓扑结构中使用，简化了电路设计并提高了可靠性。
　　此外，该模块采用了高绝缘封装技术，能够提供良好的电气隔离和安全性，适用于对安全要求较高的应用场合。其优化的内部结构设计减少了寄生电感，提升了高频工作的稳定性。
　　模块还具备出色的热管理能力，采用高导热材料和优化的散热路径，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种高效的热管理能力有助于延长模块的使用寿命，并提高系统的整体稳定性。
　　SKN2M400/10 的封装设计也考虑了易安装和维护的需求，支持快速安装到散热器上，并且模块化的设计便于更换和升级，适合工业自动化、电源系统、电机驱动等应用。

SKN2M400/10 广泛应用于各种高功率电子系统中，例如工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、高频开关电源以及太阳能逆变器等。其优异的电气性能和可靠的封装设计使其成为高性能电源系统中的理想选择。在电机控制应用中，该模块能够提供高效能的功率输出，支持精确的速度和转矩控制。在电源转换设备中，它能够实现高效的能量转换，提高系统效率并减少热量产生。此外，该模块还可用于高频率工作的电力电子系统，如射频电源和高频感应加热设备。

SKN3M500/10, SKN2M400/12