类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-15V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.2A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@VDS=5V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS=5V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（@VDS=5V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（@VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：1.2W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

UF07P15 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽型栅极结构，这种设计显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。在典型应用条件下，当栅源电压为-4.5V时，其导通电阻仅为22mΩ，这一低阻值使得该器件能够在大电流负载下保持较低的温升，有助于简化散热设计并提升产品可靠性。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下仍能保持良好的导通性能，这使其非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂性和成本。
　　该器件具备出色的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的响应能力。其栅极电荷（Qg）仅为10nC，在保证快速开关的同时减少了驱动电路的能量消耗，特别适合用于便携式设备中的高效DC-DC转换器和负载开关。此外，UF07P15具有较宽的安全工作区（SOA），能够承受一定的瞬态过载电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　在可靠性方面，UF07P15集成了良好的热稳定性和抗静电能力，器件的结温范围可达-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工作环境。其栅氧化层经过优化设计，能够承受±8V的栅源电压，避免因电压波动导致的器件损坏。小型化的SOT-23封装不仅节省了PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB布局进行有效散热。总体而言，UF07P15凭借其低导通电阻、优良的开关特性和高可靠性，成为现代低电压、高效率电源管理系统中的关键元件之一。

UF07P15广泛应用于各类低电压电源管理和开关控制电路中。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能和热插拔管理。由于其P沟道结构，该器件在高端开关配置中无需复杂的自举电路或驱动芯片，仅需简单的逻辑信号即可完成电源控制，大大简化了电路设计。此外，它也常用于电池供电系统的电源反接保护电路中，防止因电池安装错误导致后级电路损坏，保障设备安全运行。
　　在DC-DC转换器中，UF07P15可作为同步整流器或开关元件使用，尤其适用于降压（Buck）变换器的上管开关，能够在低电压输入条件下实现高效能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少转换过程中的能量损耗，提高电源效率，延长电池续航时间。在LED驱动电路中，该MOSFET可用于调节LED的开启与关闭，实现亮度控制或故障保护功能。
　　工业控制领域中，UF07P15可用于小型继电器驱动、电机启停控制以及传感器电源管理等场合。其高可靠性和宽温度工作范围使其能够在工业环境或车载电子系统中稳定运行。此外，在USB电源管理、充电器控制、热插拔控制器和电源多路复用器等应用中，UF07P15也展现出良好的适用性。总之，凡是对尺寸、效率和可靠性有较高要求的低压开关应用，UF07P15均是一个极具竞争力的选择。

AP2307PAN-G1\, DMG2307U\, SI2307ADS-T1-E3\, FDMC86262\, AODM2307