TCS5DG6C0 时间：2025/7/1 7:46:13 阅读：7

TCS5DG6C0 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块，专为高功率密度和高效能应用设计。该模块采用先进的封装技术，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优点，适合用于电动汽车、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等领域。
　　该器件利用碳化硅材料的优异性能，在高温、高频和高压环境下表现出卓越的效率和稳定性，同时减少了能量损耗并提升了系统整体性能。

参数

类型：碳化硅MOSFET模块
　　额定电压：1200V
　　额定电流：600A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：DPAK
　　漏源极电荷Qg：480nC
　　栅极阈值电压Vgs(th)：3V~6V
　　反向恢复时间trr：<40ns

特性

TCS5DG6C0 的主要特性包括：
　　1. 采用碳化硅（SiC）技术，显著降低导通和开关损耗，提升系统效率。
　　2. 高达1200V的耐压能力，适用于高压应用场景。
　　3. 支持高达175°C的工作结温，增强了高温环境下的可靠性和使用寿命。
　　4. 快速开关速度，减少开关损耗，非常适合高频应用。
　　5. 内部集成温度检测和过流保护功能，确保模块运行的安全性。
　　6. 封装设计优化热管理和电磁兼容性（EMC），简化了系统设计和散热方案。
　　7. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。

应用

TCS5DG6C0 广泛应用于以下领域：
　　1. 新能源汽车中的主驱逆变器和车载充电器。
　　2. 工业电机驱动和伺服控制，特别是在需要高效率和高速响应的应用中。
　　3. 太阳能光伏逆变器，提高电力转换效率。
　　4. 不间断电源（UPS）和储能系统，增强系统的可靠性和能量管理能力。
　　5. 高频DC-DC转换器和其他功率变换设备，满足紧凑型设计需求。
　　TCS5DG6C0 的高效能和高可靠性使其成为许多高功率密度应用的理想选择。