型号：UF05N25
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　最大功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.5Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容（Crss）：35pF（@VDS=25V）
　　栅极电荷（Qg）：30nC（@VGS=10V）
　　上升时间（tr）：50ns
　　下降时间（tf）：30ns

UF05N25具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在250V耐压等级下实现了0.5Ω的低导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。该器件采用平面栅极技术，确保了制造的一致性和器件的长期可靠性。其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）显著减少了驱动电路的负担，并降低了高频开关过程中的开关损耗，使其非常适合用于工作频率较高的开关电源拓扑，如反激式、正激式和LLC谐振转换器。此外，UF05N25的输入电容和输出电容经过优化，在保证快速开关响应的同时，有助于抑制电磁干扰（EMI）的产生。
　　该MOSFET具有良好的热阻特性，TO-220封装的热阻（RθJC）约为3℃/W，能够有效将芯片产生的热量传导至散热器，防止因温升过高导致的性能下降或热失效。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）使其可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费类电源产品。UF05N25还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在负载突变或短路等异常工况下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的安全性和耐用性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构。综合来看，UF05N25在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中等功率电源设计中的优选器件之一。

UF05N25广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型应用场景包括：离线式AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视和显示器电源模块；DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激（Flyback）拓扑中作为主开关管使用；LED恒流驱动电源，用于商业照明、户外照明及工业照明系统；逆变器和UPS不间断电源中的功率级开关元件；电机驱动电路中的低端开关；以及各类工业电源模块和电池充电设备。由于其具备250V的耐压能力和5A的额定电流，特别适合输入电压较高但输出功率适中的应用场合。此外，该器件也可用于PWM控制电路、高频变压器驱动和感应加热等电力电子系统中，作为高效开关元件实现能量的精确控制与转换。其可靠的封装形式和良好的散热性能，使其在长时间满载运行条件下仍能保持稳定工作，满足严苛的工业标准和安规要求。

STP5NK25Z, FQP5N25, 2SK2976, 2SK2542, IRF820