HZM4.7NB3TR-E 是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS),专门用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件采用紧凑的DFN封装(2.5mm x 1.0mm),适用于高密度PCB布局和空间受限的应用场景。HZM4.7NB3TR-E 的工作电压为4.7V,具备低钳位电压和快速响应时间的特性,能够在极短时间内将高能瞬态脉冲导通到地,从而保护后级敏感电子元件不受损害。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
工作电压:4.7V
最大反向工作电压(Vrwm):4.7V
击穿电压(Vbr):5.2V(最小值)
最大钳位电压(Vc):13.3V
最大脉冲电流(Ipp):11.3A
响应时间(tRESP):<1ns
封装形式:DFN 1006(2.5mm x 1.0mm)
安装方式:表面贴装(SMD)
温度范围:-55°C 至 +150°C
RoHS合规性:符合
HZM4.7NB3TR-E 具备出色的瞬态电压抑制能力,其响应时间小于1纳秒,使其能够迅速响应静电放电和雷击浪涌等高频瞬态事件。该器件采用低钳位电压设计,在导通后能够将电压维持在一个较低水平,从而有效保护后级IC和敏感电路不被损坏。其DFN封装不仅节省空间,还具有优异的热性能和机械稳定性,适合在高温和振动环境中使用。
此外,HZM4.7NB3TR-E 支持双向保护,能够应对正负极性的瞬态冲击,非常适合用于通信接口、数据线路、便携式设备和汽车电子等需要双向保护的应用。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,可承受高达±30kV的静电放电冲击,具备极高的可靠性和耐用性。
在电气性能方面,HZM4.7NB3TR-E 的最大反向漏电流(IR)低于100nA,确保在正常工作条件下不会对系统造成额外的功耗负担。其额定功率可达300W(8/20μs波形),可承受较高的瞬态能量冲击,适用于需要高可靠性防护的工业控制、消费电子和通信设备。
HZM4.7NB3TR-E 主要用于需要瞬态电压保护的电子系统中,常见应用包括:USB接口保护、HDMI和DisplayPort等高速数据接口、以太网端口、电源线保护、移动电话和智能穿戴设备、汽车电子控制系统、工业自动化设备、物联网(IoT)设备等。其紧凑的DFN封装也使其成为便携式电子产品中理想的电路保护器件。
SZESD9C4.7ST1G, PESD4.7U1BA-TR, SMAJ4.7A, HZM4.7NIB3TR-E