时间：2025/9/7 13:00:15
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HZM4.7NB3TR-E 是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管（TVS），专门用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件采用紧凑的DFN封装（2.5mm x 1.0mm），适用于高密度PCB布局和空间受限的应用场景。HZM4.7NB3TR-E 的工作电压为4.7V，具备低钳位电压和快速响应时间的特性，能够在极短时间内将高能瞬态脉冲导通到地，从而保护后级敏感电子元件不受损害。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
工作电压：4.7V
最大反向工作电压（Vrwm）：4.7V
击穿电压（Vbr）：5.2V（最小值）
最大钳位电压（Vc）：13.3V
最大脉冲电流（Ipp）：11.3A
响应时间（tRESP）：<1ns
封装形式：DFN 1006（2.5mm x 1.0mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
温度范围：-55°C 至 +150°C
RoHS合规性：符合
HZM4.7NB3TR-E 具备出色的瞬态电压抑制能力，其响应时间小于1纳秒，使其能够迅速响应静电放电和雷击浪涌等高频瞬态事件。该器件采用低钳位电压设计，在导通后能够将电压维持在一个较低水平，从而有效保护后级IC和敏感电路不被损坏。其DFN封装不仅节省空间，还具有优异的热性能和机械稳定性，适合在高温和振动环境中使用。
此外，HZM4.7NB3TR-E 支持双向保护，能够应对正负极性的瞬态冲击，非常适合用于通信接口、数据线路、便携式设备和汽车电子等需要双向保护的应用。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，可承受高达±30kV的静电放电冲击，具备极高的可靠性和耐用性。
在电气性能方面，HZM4.7NB3TR-E 的最大反向漏电流（IR）低于100nA，确保在正常工作条件下不会对系统造成额外的功耗负担。其额定功率可达300W（8/20μs波形），可承受较高的瞬态能量冲击，适用于需要高可靠性防护的工业控制、消费电子和通信设备。
HZM4.7NB3TR-E 主要用于需要瞬态电压保护的电子系统中，常见应用包括：USB接口保护、HDMI和DisplayPort等高速数据接口、以太网端口、电源线保护、移动电话和智能穿戴设备、汽车电子控制系统、工业自动化设备、物联网（IoT）设备等。其紧凑的DFN封装也使其成为便携式电子产品中理想的电路保护器件。
SZESD9C4.7ST1G, PESD4.7U1BA-TR, SMAJ4.7A, HZM4.7NIB3TR-E
