时间：2025/12/24 18:33:24
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UES1302 是一款由 United Emitter Semiconductor（UES）公司生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，主要用于需要高增益和高速性能的模拟和数字电路设计中。该器件集成了两个独立的 NPN 型晶体管，封装在小型的 SOT-24 或类似表面贴装封装中，适用于现代电子设备的紧凑设计需求。
晶体管类型：NPN 双极型晶体管（双管阵列）
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Pd）：200mW
频率响应（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
UES1302 的主要特点之一是其集成双晶体管设计，可以在单个封装中提供两个独立的 NPN 晶体管，从而减少了 PCB 布局的空间需求并降低了设计复杂度。这种双晶体管配置非常适合用于差分放大器、逻辑门电路、信号处理和开关应用。
此外，UES1302 提供较高的电流增益（hFE），在不同等级下可达到 110 至 800，这使得该器件能够适应多种放大和开关需求。其 hFE 参数的多样性也使得工程师可以根据具体应用选择合适的增益等级，从而优化电路性能。
该器件的频率响应高达 100MHz，适用于中高频放大器和高速开关电路。这种高频性能使得 UES1302 在射频（RF）前端模块、振荡器和高速逻辑电路中具有良好的应用前景。
在功耗方面，UES1302 的最大功耗为 200mW，适合用于低功耗设计。其最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 100mA，这使得该器件能够在中等功率应用中稳定运行。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明该器件能够在较宽的环境温度范围内保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境下的应用。
UES1302 主要应用于需要高增益、高速性能的电子电路中。由于其双晶体管集成设计，它常用于构建差分放大器、运算放大器的输入级、逻辑门电路以及开关电路。
在模拟电路设计中，UES1302 可以用于构建高增益放大器、射频放大器和振荡器。其高频响应能力使其成为无线通信系统中的理想选择，特别是在射频前端和本地振荡器模块中。
在数字电路中，UES1302 可用于构建高速逻辑门和触发器，适用于计算机外围设备、通信接口和数据处理系统。
此外，UES1302 还广泛应用于电源管理和电池供电设备中，如便携式电子设备、传感器电路和汽车电子控制系统。其低功耗特性使其非常适合用于延长电池寿命的应用场景。
BC847系列, BC807系列, MMBT3904, MMBT3906
