UEA1112C-4HK1-4H 是一款高性能、低功耗的场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关和功率转换应用而设计。该型号采用了先进的制造工艺,具有出色的电气特性和可靠性,适用于消费电子、工业设备以及通信领域的各种场景。
UEA1112C-4HK1-4H 的封装形式为 TO-252(DPAK),这种封装方式提供了良好的散热性能和机械稳定性,使其能够在高电流和高电压条件下稳定运行。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):100 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
最大漏极电流(Id):6.3 A
导通电阻(Rds(on)):0.15 Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):1.8 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
UEA1112C-4HK1-4H 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,能够满足高频应用需求。
3. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
4. 强大的抗静电能力(ESD),提升了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 封装紧凑,适合空间受限的设计。
UEA1112C-4HK1-4H 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压功能。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和充放电控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. 消费类电子产品的负载切换和保护电路。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P