时间：2025/6/3 18:42:31
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UEA1112C-4HK1-4H 是一款高性能、低功耗的场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关和功率转换应用而设计。该型号采用了先进的制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，适用于消费电子、工业设备以及通信领域的各种场景。
UEA1112C-4HK1-4H 的封装形式为 TO-252（DPAK），这种封装方式提供了良好的散热性能和机械稳定性，使其能够在高电流和高电压条件下稳定运行。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大漏极电流（Id）：6.3 A
导通电阻（Rds(on)）：0.15 Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗（Ptot）：1.8 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
UEA1112C-4HK1-4H 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频应用需求。
3. 优秀的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 强大的抗静电能力（ESD），提升了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 封装紧凑，适合空间受限的设计。
UEA1112C-4HK1-4H 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压功能。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和充放电控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. 消费类电子产品的负载切换和保护电路。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P
