CBR04C829D5GAC是一款高性能的碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术,具备低正向电压降、快速恢复时间和出色的热性能,非常适合用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器和其他需要高效能量转换的场景。
其封装形式通常为表面贴装类型,能够有效降低寄生电感并提高散热性能。
最大反向电压:820V
正向电流:4A
正向电压降:1.3V(典型值,@25℃,If=4A)
反向恢复时间:小于50ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
热阻(结到壳):1.5℃/W
CBR04C829D5GAC具有以下主要特性:
1. 高耐压能力(820V),适合高压应用场景。
2. 低正向导通压降(1.3V),可显著减少功率损耗。
3. 超快反向恢复时间(小于50ns),适用于高频开关电路。
4. 碳化硅材料确保了更高的温度稳定性和可靠性,在高达175℃的工作环境下仍能保持优异性能。
5. 表面贴装封装形式简化了安装过程,并提升了系统的紧凑性与散热效率。
6. 出色的抗浪涌能力和鲁棒性,可满足严苛环境下的使用需求。
该型号广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的整流和箝位功能。
2. 太阳能逆变器的核心功率转换模块。
3. 电动汽车充电桩及车载充电器的关键元件。
4. 工业用电机驱动器中的保护电路。
5. DC-DC转换器中的同步整流或输出滤波部分。
6. 高频变压器的次级整流环节。
此外,它也适用于其他需要高效、可靠功率处理的场合。
CBR04C820D5GAC
CBR04C829D5G
MCR04C829D5GAC