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CBR04C829D5GAC 发布时间 时间:2025/5/31 2:41:06 查看 阅读:11

CBR04C829D5GAC是一款高性能的碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术,具备低正向电压降、快速恢复时间和出色的热性能,非常适合用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器和其他需要高效能量转换的场景。
  其封装形式通常为表面贴装类型,能够有效降低寄生电感并提高散热性能。

参数

最大反向电压:820V
  正向电流:4A
  正向电压降:1.3V(典型值,@25℃,If=4A)
  反向恢复时间:小于50ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到壳):1.5℃/W

特性

CBR04C829D5GAC具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力(820V),适合高压应用场景。
  2. 低正向导通压降(1.3V),可显著减少功率损耗。
  3. 超快反向恢复时间(小于50ns),适用于高频开关电路。
  4. 碳化硅材料确保了更高的温度稳定性和可靠性,在高达175℃的工作环境下仍能保持优异性能。
  5. 表面贴装封装形式简化了安装过程,并提升了系统的紧凑性与散热效率。
  6. 出色的抗浪涌能力和鲁棒性,可满足严苛环境下的使用需求。

应用

该型号广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的整流和箝位功能。
  2. 太阳能逆变器的核心功率转换模块。
  3. 电动汽车充电桩及车载充电器的关键元件。
  4. 工业用电机驱动器中的保护电路。
  5. DC-DC转换器中的同步整流或输出滤波部分。
  6. 高频变压器的次级整流环节。
  此外,它也适用于其他需要高效、可靠功率处理的场合。

替代型号

CBR04C820D5GAC
  CBR04C829D5G
  MCR04C829D5GAC

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CBR04C829D5GAC参数

  • 数据列表CBR04C829D5GAC
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容8.2pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.5pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.040" L x 0.020" W(1.01mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-