时间：2025/12/25 8:00:36
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UE75A206000T是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器以及各类高功率电子系统中。该器件具备优异的导通特性和开关性能，适用于高效率、高稳定性的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A
功耗（PD）：300W
导通电阻（RDS(on)）：约0.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
UE75A206000T采用先进的硅技术制造，具有较低的导通电阻，可有效降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压输入环境，如工业电源和变频器。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性。此外，该器件的开关速度快，有利于减少开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。UE75A206000T还具备较强的抗过载和短路能力，增强了在严苛工作条件下的稳定性。
该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适用于大功率应用场景。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和15V驱动电路，方便与各种控制器和驱动芯片配合使用。
该器件常用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动、DC-DC转换器以及高功率开关电源等应用中。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备，如电动汽车充电系统、工业自动化控制设备和智能电网相关设备。
IXFH75N60Q2, IRGP50B60PD1, FGL75N60FS, STW75N60M2
