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BZB784-C2V7,115 发布时间 时间:2025/9/14 0:10:41 查看 阅读:5

BZB784-C2V7,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。这款晶体管主要用于射频(RF)和高频放大器应用,适用于通信设备、射频模块、无线基础设施等高频电子电路。由于其高截止频率(fT)和低噪声特性,该器件在射频信号放大和混频等应用中表现出色。BZB784-C2V7,115 采用 SOT-343 封装,是一种小型且适合表面贴装的封装形式,广泛用于现代高频电子设备中。

参数

类型:NPN 双极晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcbo):30 V
  最大发射极-基极电压(Vebo):5 V
  最大功耗(Ptot):100 mW
  截止频率(fT):2 GHz
  电流增益(hFE):在 Ic=2 mA 时为 80 至 600(具体数值取决于型号后缀)
  封装类型:SOT-343

特性

BZB784-C2V7,115 是一款专为高频应用设计的 NPN 晶体管,具有优异的射频性能和低噪声特性。其主要特点包括高达 2 GHz 的截止频率(fT),这使得该晶体管非常适合用于射频信号放大和高频混频器。此外,该器件的低噪声系数使其在接收器前端和信号处理电路中具有良好的表现。BZB784-C2V7,115 的电流增益范围较宽,能够在不同的工作电流下提供稳定的放大性能。其 SOT-343 小型封装不仅节省空间,还支持高密度的 PCB 布局,适用于各种便携式和高频电子设备。同时,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较为严苛的环境条件下正常工作。因此,BZB784-C2V7,115 是一款高性能的射频晶体管,适用于多种高频电路设计。

应用

BZB784-C2V7,115 主要用于射频(RF)和高频电子电路中,如射频放大器、混频器、振荡器以及无线通信系统中的信号处理模块。此外,它还可用于射频接收器前端、频率合成器和射频测试设备。由于其 SOT-343 小型封装形式,该晶体管也广泛应用于便携式电子产品、无线传感器和射频识别(RFID)设备等高频应用场景。

替代型号

BC847, BFU520, BFR181

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BZB784-C2V7,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 1V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大180mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)75 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934056297115BZB784-C2V7 T/RBZB784-C2V7 T/R-ND