时间：2025/7/15 20:06:07
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UE410-MM3 是一款由UnitedSiC（现属于Qorvo）生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET模块，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件适用于高频开关应用，并因其宽禁带半导体材料的优势，在高温和高压环境下仍能保持稳定工作。其封装形式为MM3，便于散热并适合于紧凑型电源设计。
类型：碳化硅功率MOSFET
最大漏极电压(VDS)：1200V
最大连续漏极电流(ID)：40A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：10mΩ
栅极电荷(Qg)：87nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：MM3
UE410-MM3采用先进的碳化硅技术，提供较低的导通损耗和开关损耗，非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。其RDS(on)非常低，仅为10mΩ，有助于减少导通状态下的功耗并提升整体效率。此外，该器件具备优异的热管理能力，能够在较高的环境温度下运行而无需额外的散热措施。
由于碳化硅材料固有的高击穿电场强度和高热导率，UE410-MM3能在高达1200V的电压下安全工作，并在极端条件下维持稳定的性能表现。这种特性使其特别适用于电动汽车充电器、工业电机驱动、太阳能逆变器以及各种高频率DC/DC转换器等应用场景。
该MOSFET还表现出卓越的抗短路能力和更高的可靠性，能够承受突发的过载情况而不损坏。结合MM3封装提供的良好散热性，UE410-MM3可在紧凑的空间内实现强大的功率处理能力。
UE410-MM3广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子产品中，包括但不限于电动汽车（EV）车载充电器、快速充电桩、工业级不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如光伏逆变器）、储能系统以及各类高密度电源模块。它也适用于要求苛刻的电机控制装置及大功率DC/DC转换电路。
UF3SC065010K3S | UG-92封装, 650V, 10mΩ；| SCT3045KL | TO-247封装, 1200V, 45mΩ；| SiC MOSFET模块如Cree / Wolfspeed的C3M0065065D（650V, 65mΩ）
