时间：2025/11/7 20:41:54
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UDZSTFTE-175.1B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），专为低功率稳压应用设计。该器件属于表面贴装型（SOD-323封装），适用于需要紧凑布局和高密度安装的现代电子设备。其标称齐纳电压为5.1V，在测试电流下能够提供稳定的参考电压，广泛应用于电源管理、信号电平转换、过压保护以及模拟电路中的基准电压源等场景。这款齐纳二极管具有良好的温度稳定性和低动态阻抗，能够在宽温度范围内保持可靠的性能表现。此外，其小型化封装不仅节省了PCB空间，还支持自动化贴片生产流程，适合消费类电子产品、通信设备、工业控制模块及便携式设备中使用。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-323
齐纳电压（Vz）：5.1V @ 5mA
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
测试电流（Iz）：5mA
最大反向电流（Ir）：1μA @ Vz = 5.1V
动态阻抗（Zzt）：30Ω @ 5mA
温度系数：+2mV/°C 典型值
UDZSTFTE-175.1B具备优异的电压调节精度与热稳定性，其核心功能在于提供一个精确且稳定的参考电压点。在5.1V的工作电压下，该器件表现出较低的动态阻抗，这有助于减少输出电压随负载变化而产生的波动，从而提高整个系统的稳定性。其±5%的电压容差确保了在批量生产过程中的一致性与可靠性，适合对电压精度有一定要求但又不需要超高精度基准的应用场合。
该器件采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 0.95mm，非常适合用于空间受限的高集成度电路板设计。由于其低功耗特性（额定功率200mW），它可以在不加散热器的情况下安全运行于大多数常温环境，同时也能承受一定的瞬态过载情况。
UDZSTFTE-175.1B具有良好的长期稳定性与抗老化能力，在连续工作条件下能维持其电气参数不变。其反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎无电流通过，有效降低了待机状态下的能耗。此外，该器件对静电不敏感，具备一定级别的ESD防护能力，提升了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
得益于ROHM成熟的制造工艺，该齐纳二极管在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）均能保持稳定的电压输出特性，温度系数仅为+2mV/°C左右，这意味着在高温环境下电压漂移较小，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。其快速响应时间也使其可用于高频开关电源中的反馈回路或作为瞬态电压抑制辅助元件。
主要用于小信号稳压、电压基准源、电源监控电路、电平移位器、过压保护钳位电路、模拟前端接口保护、电池供电设备的电压调节、嵌入式系统中的参考电压生成等。常见于智能手机、平板电脑、物联网终端、传感器模块、LED驱动电路、微控制器外围电路及各类消费类电子产品中。
MMBZ5226BLT1G,MCP1541T-5.1/E/MS,DFZ5.1ATSS
