工作频率范围：800 MHz - 2500 MHz
　　输出功率：典型值为 25 W（在 2 GHz 频段）
　　增益：典型值为 14 dB
　　效率：典型值为 60%
　　工作电压：+28 V
　　输入驻波比（VSWR）：典型值为 2:1
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RF5325TR13 具有出色的线性度和高效率，适合在多种通信系统中使用。该器件采用 GaAs HBT 工艺制造，提供了良好的热稳定性和高可靠性。其宽频带性能使其适用于多频段操作，能够在从 800 MHz 到 2.5 GHz 的广泛频率范围内提供稳定的性能。
　　此外，RF5325TR13 的设计优化了在高功率条件下的工作表现，具备良好的失真控制能力，适合用于需要高线性度的数字通信系统。其表面贴装封装形式便于自动化生产和良好的热管理，适用于高密度 PCB 设计。
　　该器件还具有良好的输入和输出匹配特性，减少了对外部匹配电路的依赖，简化了设计流程并提高了整体系统的稳定性。由于其高耐久性和抗干扰能力，RF5325TR13 在恶劣环境条件下也能保持稳定的性能。

RF5325TR13 主要用于无线通信基础设施，如 3G/4G 基站、WiMAX 系统、广播发射器和测试设备中的射频功率放大器设计。由于其高频性能和高输出功率特性，该晶体管也广泛应用于工业和军事通信设备中，如雷达、远程无线传感器和高功率发射模块。
　　在基站系统中，RF5325TR13 可用于主功率放大器（HPA）以增强信号覆盖范围，同时保持低失真和高能效。在测试设备中，该器件可用于构建高精度的信号发生器和放大器模块，以模拟真实环境下的通信条件。此外，其优异的线性度和稳定性能也使其适用于各种宽带通信系统。

RF5325TR13 的替代型号包括 RF5326TR13 和 RF5327TR13，这些型号在功率输出和频率范围方面略有不同，可根据具体应用需求进行选择。