UDZSFVTE1713B 时间：2025/5/29 2:38:16 阅读：3

UDZSFVTE1713B 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高耐压能力，能够显著提升电路效率并降低功耗。
　　这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型，适用于需要高效能开关特性的设计场景。其封装形式为 TO-220，便于散热处理和电路板安装。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻：0.15Ω
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=80ns, toff=35ns
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

1. 高击穿电压：可承受高达650V的工作电压，确保在高压环境下稳定运行。
　　2. 极低的导通电阻：仅为0.15Ω，大幅减少导通损耗，提高整体效率。
　　3. 快速开关性能：极短的开关时间（ton=80ns, toff=35ns）使其非常适合高频应用。
　　4. 良好的热性能：TO-220封装设计有助于更高效的热量散发，适合高功率应用场景。
　　5. 可靠性高：宽广的结温范围（-55℃至+150℃）使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定。