UDZ8.2B 时间：2025/12/25 11:48:38 阅读：12

UDZ8.2B是一款齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压应用。该器件由ROHM Semiconductor生产，属于UDZ系列的小型表面贴装齐纳二极管。其标称齐纳电压为8.2V，适用于需要稳定参考电压的低功率电路中。UDZ8.2B采用SOD-323（SC-90）小型封装，具有较小的尺寸和较高的可靠性，适合在空间受限的应用中使用，如便携式电子设备、电源管理电路和信号调理电路等。该齐纳二极管通过反向击穿特性实现稳定的电压输出，在规定的电流范围内可维持较为恒定的电压，从而为敏感电路提供保护或参考基准。由于其低动态电阻和良好的温度稳定性，UDZ8.2B在模拟和数字系统中广泛用于电平钳位、过压保护以及电压检测等功能。
　　该器件的工作电流范围较宽，通常在测试条件下以5mA进行电压标定，确保在此工作点下达到标称的8.2V齐纳电压。同时，UDZ8.2B具备较低的最大阻抗值（Zzt），有助于减少因负载变化引起的输出电压波动。此外，该器件还具有良好的长期稳定性和低泄漏电流特性，能够在各种环境条件下保持性能一致。由于其表面贴装封装形式，UDZ8.2B适合自动化贴片生产工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单路齐纳
　　最大耗散功率：200mW
　　标称齐纳电压：8.2V
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：45Ω
　　最大反向漏电流：1μA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装/外壳：SOD-323（SC-90）
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　湿度敏感等级：MSL1

特性

UDZ8.2B齐纳二极管具备优异的电气特性和热稳定性，使其在多种低压稳压与参考应用中表现出色。其核心特性之一是精确的电压调节能力，在额定测试电流5mA下，能够稳定地维持8.2V的齐纳电压，并且在整个工作电流范围内电压漂移较小。这得益于其较低的动态阻抗（最大45Ω），能够在负载电流变化时有效抑制输出电压波动，提高系统的稳定性。该器件的最大功耗为200mW，结合SOD-323封装良好的散热设计，可在有限的空间内安全运行，适用于电池供电设备或板级电源监控模块。
　　另一个显著特点是其出色的温度系数表现。虽然齐纳电压随温度的变化不可避免，但UDZ8.2B采用了优化的半导体工艺，使得其温度漂移控制在合理范围内，确保在-55°C至+150°C的宽温度区间内仍能保持可靠的电压参考功能。这对于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景尤为重要。此外，该器件具有极低的反向漏电流（典型值小于1μA），在非导通状态下几乎不消耗额外功率，提升了整体能效，特别适合用于高阻抗电路或待机模式下的电压检测。
　　UDZ8.2B的SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.3mm x 1.1mm），而且引脚间距适中，便于PCB布局和回流焊工艺处理。该封装符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。同时，其MSL1（湿度敏感等级1）评级表明该器件无需特殊防潮包装，可在常温干燥环境中长期储存而不影响焊接质量，进一步简化了供应链管理。综合来看，UDZ8.2B以其高精度、小尺寸、低功耗和高可靠性，成为众多精密模拟电路和嵌入式系统中理想的电压基准解决方案。

应用

UDZ8.2B广泛应用于各类需要稳定电压参考的电子电路中。常见用途包括作为低压稳压器中的反馈网络参考元件，用于比较器或运算放大器的输入端提供精准的偏置电压，以及在ADC/DAC转换系统中构建基准源。此外，它也常被用作电源电压监测电路的一部分，当主电源电压异常升高时，UDZ8.2B可通过击穿导通触发保护机制，防止后续电路受损。在信号调理电路中，该器件可用于电平钳位，限制输入信号幅度，避免后级IC因过压而损坏。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，UDZ8.2B因其微型封装和低功耗特性，广泛用于电池电压检测、充电管理单元和传感器接口电路中。在工业控制系统中，它可以作为PLC模块或数据采集设备中的参考电压源，保障测量精度。汽车电子领域中，该器件可用于车载信息娱乐系统、ECU外围电路或LED驱动电源中，实现电压稳定与过压防护双重功能。此外，在通信设备、医疗仪器和智能家居控制器中，UDZ8.2B同样发挥着重要作用，为关键信号路径提供可靠保护和精准参考。