类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：11A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：典型值为8.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：典型值为12mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.5V~1.5V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：DFN3x3、TDFN等

UDS5733H具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。在Vgs=4.5V时，Rds(on)仅为8.5mΩ，确保了在高电流条件下的稳定性能。其次，该器件支持较高的栅极电压（±20V），增强了抗电压波动能力，提高了系统的可靠性。
　　UDS5733H的阈值电压范围为0.5V~1.5V，使其适用于多种驱动电路，尤其是与低压控制器配合使用的场合。该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升整体系统效率。
　　此外，UDS5733H采用先进的封装技术，具备良好的热性能和机械稳定性。DFN或TDFN封装形式不仅减小了PCB空间占用，还提高了散热效率，适合高密度和高功率密度的设计需求。其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间正常运行，适用于各种恶劣环境。

UDS5733H适用于多种电源管理和功率控制应用。其主要应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和快速开关特性，UDS5733H在高效电源转换系统中表现出色，能够有效降低功耗并提高转换效率。
　　该器件也常用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。在这些设备中，UDS5733H的小型封装和低功耗特性有助于延长电池寿命并减少发热。
　　此外，UDS5733H还可用于电机控制、LED驱动、电源管理IC（PMIC）以及工业自动化系统中的开关控制电路。

Si7461DP,TSM410U4CM,NVTFS5C471NL