时间：2025/9/14 18:42:59
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PSMN2R6-40YS,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用增强型沟槽工艺，适用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）：12A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±12V
功率耗散（Ptot）：42W
封装类型：TO220AB
工作温度范围：-55°C至150°C
PSMN2R6-40YS,115 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）仅为2.6mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，实现了高密度电流处理能力，同时保持较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。封装形式为TO220AB，具备良好的散热性能，适合用于高功率密度设计。其12A的连续漏极电流能力，使其适用于多种中高功率应用场景。
PSMN2R6-40YS,115 广泛应用于各类电力电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、电源开关、负载开关控制以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通和开关性能，也使其成为新能源汽车、储能系统和高效电源适配器中的理想选择。
在电源管理领域，该MOSFET可作为主开关管用于Buck、Boost或Flyback拓扑结构中，提供高效稳定的电压转换。在电机控制中，可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，在LED照明驱动和消费类电子产品中也有广泛应用。
SiSS128LNT, INF1R2640DP1SA1, IPB013N04LG
