类型：双通道 SiC MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：45A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：7.0mΩ
　　封装类型：HIL（High Isolation Low-loss）
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　栅极电压范围：-10V ~ +20V

UDS5707HMIL 的核心优势在于其采用碳化硅材料，相比传统硅基 MOSFET，具备更低的开关损耗和更高的热导率，能够在更高频率和更高温度下稳定工作。其双通道结构设计使其适用于需要并联操作或双路功率控制的应用场景。此外，该器件具有出色的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。由于其低 RDS(on)，在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件还具备优异的抗浪涌能力和高 dv/dt 耐受性，适用于高动态工作环境。
　　UDS5707HMIL 的 HIL 封装设计提供了增强的绝缘性能和更低的封装电阻，有助于实现更紧凑的功率模块设计。这种封装还优化了热阻，提高了散热效率，使得器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频谐振转换器、双向 DC-DC 变换器和电动汽车充电系统等高性能应用场景。

UDS5707HMIL 主要用于高功率密度和高效率的电力电子系统中，如工业电源、服务器电源、储能系统、光伏逆变器、车载充电器（OBC）和直流快充系统。由于其优异的热性能和高频特性，该器件也广泛应用于 LLC 谐振转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）电路和双向 DC-DC 转换器等拓扑结构。此外，它在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电驱系统和充电基础设施中也有重要应用价值。

UDS5707H、UDS5707K、SiC MOSFET 器件如 Wolfspeed 的 C3M0060065J 和 STMicroelectronics 的 SCT3040KL