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UDQ2559B 发布时间 时间:2025/7/30 2:24:03 查看 阅读:27

UDQ2559B 是一款由 UnitedSiC(现属于 Littelfuse)推出的高性能 SiC(碳化硅)功率晶体管,基于其先进的 SiC FET(场效应晶体管)技术,适用于高效率、高频和高功率密度的应用场景。该器件结合了 SiC 材料的优异特性与优化的封装设计,能够显著降低开关损耗并提升整体能效。UDQ2559B 通常用于功率转换器、电源模块、电机驱动器以及可再生能源系统等领域。

参数

类型:SiC FET
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):11mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247-4L
  功率耗散(Pd):540W
  栅极电荷(Qg):110nC
  输入电容(Ciss):7200pF

特性

UDQ2559B 的核心优势在于其采用了先进的碳化硅技术,使其具备极低的导通电阻和出色的开关性能。相较于传统的硅基 MOSFET 或 IGBT,UDQ2559B 在高频工作条件下表现出更低的开关损耗,从而提高了系统效率。
  此外,SiC 材料具有更高的热导率,使得该器件能够在更高温度下稳定工作,增强了其在严苛环境中的可靠性。
  该器件的 TO-247-4L 封装设计不仅提供了良好的散热性能,还通过独立的开尔文源极引脚(Kelvin Source)有效减少了栅极振荡和开关损耗,提升了高频应用中的性能表现。
  UDQ2559B 具备较高的击穿电压(650V)和较大的连续漏极电流(180A),适用于中高功率级别的电力电子系统。
  同时,该器件具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载或短路情况下保持稳定运行,提高了系统的安全性与鲁棒性。

应用

UDQ2559B 主要应用于需要高效能、高频率和高功率密度的电力电子系统中。例如:
  在服务器电源、通信电源、工业电源等高效率电源转换系统中作为主开关器件使用,以提升转换效率并缩小系统体积。
  在电动汽车(EV)充电系统中,UDQ2559B 可用于 DC-DC 转换器或车载充电器(OBC),满足高效率和高可靠性的要求。
  在可再生能源系统如光伏逆变器中,该器件可显著降低开关损耗,提高系统整体能效。
  此外,UDQ2559B 也适用于电机驱动器、不间断电源(UPS)、储能系统以及高频感应加热等应用领域。

替代型号

[
   "UDQ2559K",
   "UFQ2N65001K",
   "SiC MOSFET 型号如 C3M0016120D 或 SCT3040KL"
  ]

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