UDN2983A 是一款由 Allegro MicroSystems 生产的高压、高侧 NMOS 驱动器集成电路,常用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT 等功率器件。该芯片采用双通道设计,能够提供高电流驱动能力,适用于电机控制、电源转换、工业自动化等高功率应用场合。UDN2983A 内部集成了电荷泵电路,可确保在高电压应用中 MOSFET 能够被充分导通,同时具备欠压保护、过热保护等安全机制。
供电电压范围:4.5V 至 20V
输出驱动电流:每通道最高可达 2A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:SOIC-8
输入逻辑类型:TTL/CMOS 兼容
最大工作频率:1MHz
导通电阻(Rds(on)):典型值 150mΩ(每个通道)
电荷泵电压:最高可达 2×VDD
封装热阻(RθJA):62°C/W
UDN2983A 的核心优势在于其双通道高侧驱动能力和内置电荷泵技术,使其能够在高压环境下高效驱动功率 MOSFET。
首先,该器件支持高达 20V 的电源电压,适用于多种功率变换系统,如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动电路。
其次,每个通道可提供高达 2A 的峰值驱动电流,有助于加快功率器件的开关速度,从而降低开关损耗并提高系统效率。
芯片内置的电荷泵电路可在高侧驱动应用中生成高于电源电压的栅极驱动电压,确保 MOSFET 完全导通,提高系统性能。
此外,UDN2983A 提供了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO),防止在电源电压不足时误操作;以及过热保护(OTP),在芯片温度过高时自动关闭输出,避免损坏。
该芯片还具有低静态电流设计,有助于在待机模式下降低功耗,适合对能效有要求的应用场景。
UDN2983A 采用标准的 SOIC-8 封装,具有良好的散热性能和工业级工作温度范围(-40°C 至 +150°C),适用于严苛的工业和车载环境。
UDN2983A 主要应用于需要高侧驱动能力的功率电子系统中,如:
1. 电机驱动器:用于控制 H 桥结构中的高侧 MOSFET,实现电机的正反转与调速。
2. DC-DC 转换器:作为高侧开关的驱动器,提升转换效率和系统稳定性。
3. 同步整流器:在反激或正激式电源中用于驱动同步整流 MOSFET,提高电源效率。
4. 工业自动化设备:用于驱动继电器、电磁阀、固态继电器等大功率负载。
5. 汽车电子系统:如电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)等应用场景。
6. 太阳能逆变器:在光伏逆变系统中驱动功率 MOSFET 或 IGBT,提高能量转换效率。
其高可靠性和宽工作温度范围也使其成为工业与汽车应用的理想选择。
TC4427A, IRS2104, LM5112, UCC27531