MTN4410Q8是一款由Microchip Technology推出的高性能、低功耗的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,在提供高电流处理能力的同时保持较低的导通电阻,从而优化了效率和散热性能。
这款晶体管具有出色的热稳定性和耐用性,适用于需要高可靠性的工业和汽车应用环境。
型号:MTN4410Q8
类型:N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):10A
栅极电压(Vgs):典型值10V
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (最大值)
总功耗(Ptot):47W
封装形式:TO-263-3L / D2PAK
工作温度范围:-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg):典型值15nC
MTN4410Q8具备卓越的电气特性和可靠性,其主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗,提高整体系统效率。
2. 能够在高频条件下运行,适合开关电源和其他高频应用。
3. 高度稳定的动态参数和快速开关速度,确保优异的动态性能。
4. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力。
5. 符合AEC-Q101标准,非常适合汽车级应用。
6. 小巧且坚固的封装设计,简化了PCB布局并增强了散热性能。
MTN4410Q8适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电动车辆(HEV/EV)内的DC-DC转换器和电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
4. 消费类电子产品中的电池充电管理模块。
5. 电信基础设施中的高效功率转换解决方案。
6. LED驱动器以及家用电器中的功率调节电路。
MTN4410T8, FDP5500, IRFZ44N