时间：2025/7/15 18:21:40
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UDM35LSESXR4LTX 是一款由 UnitedSiC（现属于 Littelfuse）生产的碳化硅（SiC）功率 MOSFET。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率、高频和高温工作环境。
类型：碳化硅MOSFET
极性：N沟道
漏源电压(Vds)：1200V
连续漏电流(Id)@25℃：75A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
UDM35LSESXR4LTX 的最大优势在于其采用碳化硅材料制造，使其在高压和高功率应用中表现出色。相较于传统的硅基MOSFET，它的导通损耗更低，特别是在高温环境下仍能保持稳定的性能。
此外，该器件具有出色的反向恢复特性和较低的输出电容，有助于提高整体系统的能效并减少散热设计的复杂度。其高短路耐受能力也增强了系统在极端条件下的可靠性。
该MOSFET还支持快速切换操作，从而减小了磁性元件的尺寸，提高了电源转换器的整体功率密度。同时，由于碳化硅材料的宽带隙特性，它可以在更高的温度下运行，减少了对冷却系统的依赖。
UDM35LSESXR4LTX 主要应用于高效电力电子设备，如工业电机驱动、可再生能源逆变器（太阳能和风能）、电动汽车充电系统、储能系统以及高性能电源供应器。此外，它也非常适合用于高频DC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
UF3SC065017K3S, SCT3045AL
