时间：2025/7/30 9:45:33
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UDK2559LBT是一款由UTC（Unisonic Technologies）设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高功率处理能力。该器件适用于多种高效率电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大值）
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功率耗散：160W
UDK2559LBT具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现优异。首先，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，其TO-263封装形式提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。UDK2559LBT还具有较高的栅极电荷（Qg）和较低的输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中表现稳定。此外，该器件的雪崩能量额定值较高，确保在极端条件下也能可靠运行。最后，其宽泛的工作温度范围使得该器件适用于各种工业和汽车电子应用。
在可靠性方面，UDK2559LBT经过严格的测试和验证，确保在长时间运行和高负载条件下仍能保持稳定性能。其较高的短路耐受能力也使其在电机驱动和电源转换器中表现出色。由于其出色的热管理和导通性能，该器件广泛用于DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、电动车驱动器和工业自动化设备中。
UDK2559LBT广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备、电动工具、电动车电源系统、服务器电源和高功率LED照明驱动器。其优异的导通特性和热管理能力使其在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现尤为突出。
SiS686ADN, IRF1405, AO4407A
