时间：2025/6/5 21:53:35
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SI3900DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件广泛应用于需要高效率和低导通电阻的应用场景中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。其优异的电气性能和紧凑的封装设计使得它成为现代电力电子设计的理想选择。
SI3900DV-T1-GE3 的主要特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：37nC（典型值）
总电容：150pF（输入电容 Ciss 典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
逻辑电平兼容性：支持
SI3900DV-T1-GE3 提供了多种优势以满足现代电力电子系统的需求：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，减少了能量损失。
2. 高额定电流能力使其适用于大功率应用。
3. 支持逻辑电平驱动，简化了与数字控制电路的集成。
4. 工作温度范围宽广，适合各种恶劣环境下的应用。
5. 紧凑的 DPAK 封装节省了 PCB 空间，并具有良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于采购。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率控制。
5. 便携式设备中的电池管理和充电电路。
6. 数据通信设备中的电源管理模块。
SI3847DP-T1-GE3, IRFZ44N
