时间：2025/7/30 10:44:26
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UDK2559BT 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生产的高性能 GaAs（砷化镓）pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）场效应晶体管（FET），常用于射频和微波频率范围内的功率放大应用。该器件设计用于在高频条件下提供高增益和高输出功率，非常适合无线通信、雷达、测试设备和其他射频系统中的使用。UDK2559BT 的工作频率范围通常在 2 GHz 到 18 GHz 之间，具有良好的线性度和效率。
类型：GaAs pHEMT FET
工作频率：2 GHz - 18 GHz
输出功率：典型值 29 dBm（在 10 GHz 时）
增益：典型值 13 dB（在 10 GHz 时）
漏极电流：典型值 120 mA（在 Vds = 5V 时）
漏极-源极电压（Vds）：最大 10V
封装类型：陶瓷扁平封装（Flatpack）
输入和输出阻抗：50Ω
UDK2559BT 是一款适用于宽带高频应用的功率放大器晶体管，具备出色的增益和输出功率性能。其采用 GaAs pHEMT 技术，能够在 2 GHz 至 18 GHz 的广泛频率范围内稳定工作。该器件的典型输出功率为 29 dBm，在 10 GHz 频率下具有约 13 dB 的高增益，非常适合用于需要高线性度和高效率的射频系统。
该晶体管的漏极-源极电压最大为 10V，典型的漏极电流为 120 mA，这使得其在工作时具有较高的能效和较低的功耗。UDK2559BT 的封装形式为陶瓷扁平封装，这种封装不仅提供了良好的热管理，还确保了在高频应用中的电气性能稳定性。
此外，UDK2559BT 具有优异的热稳定性和可靠性，能够在各种恶劣的工作环境下长时间运行。由于其宽带特性，它可以用于多种射频应用，包括无线基础设施、雷达系统、电子战设备、测试仪器和宽带通信系统。这种晶体管的输入和输出阻抗为 50Ω，使其易于集成到标准射频电路中。
UDK2559BT 主要用于高频和宽带射频功率放大器的设计。常见的应用包括无线通信系统中的功率放大器模块、雷达和电子战设备中的发射机前端、射频测试设备中的信号放大器、卫星通信系统中的上行链路放大器等。此外，该器件也适用于各种宽带放大器设计，如频谱分析仪、信号发生器和其他射频测量设备。
CHX2559-991S, ATF-54143
