型号：MB8413
　　类型：CMOS SRAM
　　容量：4K x 1位（4Kb）
　　组织结构：4096字 × 1位
　　供电电压：4.5V 至 5.5V（典型值5V）
　　工作温度范围：商业级 0°C 至 +70°C / 工业级 -40°C 至 +85°C
　　访问时间：常见版本有150ns、200ns、250ns等
　　封装形式：28引脚DIP、28引脚SOIC
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大静态电流：约10mA（待机模式下可低至数μA）
　　读写操作：支持异步读写，具备片选（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）控制信号
　　功耗：典型工作功耗约为150mW（取决于访问频率）

MB8413作为一款经典的低密度静态随机存取存储器，具备多项关键特性，使其在特定应用场景中表现出色。首先，其基于CMOS工艺的设计确保了较低的静态功耗，尤其在待机或非活跃状态下，电流消耗可降至微安级别，这对于需要长时间运行且对能耗敏感的系统至关重要。其次，该芯片无需像DRAM那样周期性地刷新数据，从而简化了系统设计，降低了对外围控制逻辑的要求，提升了系统的整体可靠性。此外，MB8413提供异步接口，允许与多种类型的微处理器和微控制器无缝对接，特别是在8位或16位系统架构中，能够直接作为数据缓存或临时存储单元使用。其地址线宽为12位（A0-A11），可寻址4096个存储位置，每个位置存储1位数据，虽然单颗芯片的数据宽度较窄，但可通过并行扩展多个芯片实现字节或更宽的数据总线结构，例如使用8片MB8413组成4KB的8位存储阵列。在电气特性方面，该器件完全兼容TTL电平标准，所有输入端均具备抗静电保护和过压钳位二极管，增强了在复杂电磁环境下的抗干扰能力。同时，其输出三态缓冲器支持多设备共享数据总线，避免了总线冲突问题。另外，MB8413具有良好的温度适应性，部分工业级版本可在-40°C至+85°C范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的工业控制系统。值得注意的是，尽管该芯片的访问速度相较于现代高速SRAM略显落后，但对于许多非实时性要求极高的应用来说，150ns到250ns的访问时间已足够满足需求。最后，由于该器件已在市场上长期流通，供应链成熟，相关技术支持资料丰富，便于工程师进行故障排查和系统维护。
　　此外，MB8413还具备出色的抗辐射能力和长期数据保持性能，在断电情况下只要不施加反向电压或超出极限参数的操作，存储内容不会丢失，这使得它在某些需要非易失性暂存功能的特殊场合也具有一定应用价值。综上所述，MB8413凭借其稳定性、兼容性和易用性，成为许多传统电子系统中不可或缺的核心存储元件之一。

MB8413主要用于各类需要小型静态存储器的电子系统中，尤其是在早期的计算机外围设备中扮演重要角色，如打印机、绘图仪和终端设备中的字符缓存与状态寄存；在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、传感器数据暂存、I/O状态保持以及过程控制中的中间计算结果存储；在通信设备中，MB8413可用于电话交换机、调制解调器和网络桥接器的数据缓冲区设计，以提升数据处理效率；此外，在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该SRAM可用于采集数据的临时存储，配合ADC和DSP协同工作；在消费类电子产品方面，曾广泛应用于老式游戏机、电子词典、计算器等设备中作为程序状态或用户输入的临时记忆单元；由于其接口简单且无需复杂的控制器支持，也常被用于教学实验平台和单片机开发板中，帮助学生理解存储器的基本工作原理和总线时序控制；在航空航天和军事电子系统中，部分高可靠性的MB8413衍生型号曾用于雷达信号预处理、飞行姿态数据暂存等任务，得益于其抗干扰能力强和工作温度范围宽的特点；即使在当前高集成度SoC盛行的时代，MB8413仍可用于老旧设备的维修替换、工业备件库存补充以及特定定制化嵌入式项目的升级维护场景；总体来看，虽然新型低功耗异步SRAM或伪静态RAM（PSRAM）在性能上更具优势，但MB8413凭借其成熟的技术生态和广泛的行业认知度，依然在特定细分市场中维持着一定的生命力。

IS61C4K1、CY62148、AS6C4008、MCM6204