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UD9926L-S08-T 发布时间 时间:2025/12/27 8:32:08 查看 阅读:13

UD9926L-S08-T是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能栅极驱动器芯片,专为高频率、高效率的电源转换应用而设计。该器件采用先进的BCD工艺制造,具备优异的抗干扰能力和热稳定性,适用于各类中大功率的电力电子系统。UD9926L-S08-T为单通道低侧或高侧驱动器,能够有效驱动MOSFET、IGBT等功率开关器件,在DC-DC变换器、电机驱动、逆变器和开关电源(SMPS)中表现卓越。该芯片封装形式为SOP-8,符合工业级工作温度范围要求,具有良好的可靠性和长期稳定性,广泛应用于工业控制、新能源、电动汽车及消费类电子产品中。
  该芯片内部集成了逻辑信号处理、电平位移、输出驱动级以及多种保护功能模块,确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。其输入端兼容标准CMOS/TTL电平,便于与微控制器、DSP或PWM控制器直接对接,无需额外的电平转换电路。此外,UD9926L-S08-T优化了传输延迟匹配,减小了上下管导通与关断之间的死区时间误差,提升了系统效率和安全性。

参数

型号:UD9926L-S08-T
  类型:单通道栅极驱动器
  供电电压(VDD):10V ~ 20V
  逻辑输入电压兼容:3.3V/5V CMOS/TTL
  峰值输出电流:±4A
  输出电压摆幅:0V 至 VDD
  传播延迟时间:典型值45ns
  上升时间(tr):典型值15ns
  下降时间(tf):典型值10ns
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  关断状态输入阈值:hysteresis logic
  封装形式:SOP-8
  隔离耐压:增强绝缘型(根据应用方案设计)
  驱动能力:可驱动IGBT、MOSFET模块
  输入反极性保护:支持
  静态功耗:低功耗待机模式
  dV/dt抗扰度:高

特性

UD9926L-S08-T具备出色的动态响应性能和高抗噪声能力,其核心特性之一是内置高效的电平位移技术,允许其在高侧应用中实现快速且精确的信号传输,即使在母线电压剧烈波动的情况下也能保持稳定的驱动输出。该芯片采用了高增益推挽输出级结构,能够在极短时间内对功率器件进行充放电,显著降低开关损耗,从而提升整个电源系统的转换效率。其±4A的峰值输出电流能力使其能够快速驱动大栅极电荷的功率器件,适用于高频硬开关和软开关拓扑如LLC、Phase-Shifted Full Bridge等。
  另一个关键特性是其强大的保护机制。UD9926L-S08-T集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当VDD电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止因供电不足导致的误开通或器件损坏。同时,芯片内部设有热关断保护电路,在芯片结温超过安全限值时主动切断输出,避免过热引发永久性损伤。这些保护功能大大增强了系统的鲁棒性和可靠性,特别适合在恶劣工业环境中长期运行。
  该器件还具有极佳的传输延迟匹配精度,上升沿与下降沿之间的传播延迟偏差极小,有助于精确控制死区时间,防止桥臂直通现象的发生。此外,输入端带有施密特触发器设计,提供迟滞逻辑判断,有效抑制输入信号抖动和噪声干扰,提高系统抗干扰能力。SOP-8的小型化封装不仅节省PCB空间,还通过优化引脚布局降低了寄生电感,进一步提升了高频工作的稳定性。整体设计兼顾性能、集成度与可靠性,满足现代高效电力电子系统的设计需求。

应用

UD9926L-S08-T广泛应用于需要高可靠性与高性能驱动的电力电子领域。常见使用场景包括工业级开关电源(SMPS),特别是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管的驱动单元。在光伏逆变器和储能系统中,该芯片可用于驱动半桥或全桥拓扑中的IGBT模块,配合PWM控制器实现高效能量转换。此外,在电动汽车车载充电机(OBC)、直流充电桩以及电机驱动控制系统中,UD9926L-S08-T因其高dV/dt抗扰能力和快速响应特性而被广泛采用。
  在感应加热设备、焊机电源和UPS不间断电源系统中,该芯片同样表现出色,能够在高温、高压、强电磁干扰环境下稳定工作。由于其支持高侧浮动工作模式,因此也适用于高端浮地驱动应用,例如图腾柱PFC电路中的开关驱动。同时,得益于其TTL/CMOS电平兼容特性,可以无缝连接数字控制器如STM32、TI C2000系列DSP等,简化系统设计流程。对于追求高效率、小型化和高可靠性的现代电源产品而言,UD9926L-S08-T是一个理想的选择。

替代型号

LM5113
  IRS21844
  UCC27531
  FAN7393
  L6387

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